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第22章 存储器和可编程逻辑器件;本章要求;半导体存储器分类：;22.1 只读存储器; 1. 存储矩阵：由存储单元构成，一个存储单元存储一位二进制数码 1 或 0 。存储器是以字为单位进行存储的。图中有N×M个存储单元。; 二极管 ROM电路;(1) 存储矩阵; 交叉点处没有接二极管处，相当于存 0 ；位线 D1和D3为 0 , 这相当于没接有二极管的交叉点存 0 。;地址译码器特点：; 最小项译码和N选一译码;存储矩阵是一个或逻辑阵列。;22.1.3 ROM的阵列图;双极型晶体管和MOS场效应管构成的存储矩阵;双极型晶体管和MOS场效应管构成的存储矩阵 ;MOS型存储矩阵;1. ROM构成的全加器;用ROM构成全加器的逻辑状态;由表可得：;2. ROM构成的序列脉冲发生器;工作波形;3. ROM构成的字符发生器;用ROM构成字符发生器; 由图可看出该字符显示器由7行5 列构成存储矩阵,将字母R的形状分割成若干部分并在相应的单元存入信息 1 。当地址输入由 000~110周期地循环变化时, 即可逐行扫描各字线, 把字线 W0 ~ W7 所存储的字母“R”的字形信息从位线D0~ D4读出。使显示设备一行行的显示出图 (b)的字形。;22.2 随机存取存储器;22.2.1 RAM的结构方框图; 1. 存储矩阵：由大量存储单元构成，它的存储单元有静态和动态两种类型 。与ROM不同的是RAM存储单元的数据不是预先固定的，而是取决于外部输入信息，其存储单元必须由具有记忆功能的电路构成。;2114RAM外引线排列图;22.2.4 RAM的扩展;2. RAM字数的扩展;0; 可编程逻辑器件(PLD)是由用户自行定义功能 (编程)的一类逻辑器件的总称。; PLD电路结构复杂，线路纵横交错，编程点和门电路甚多。为了清晰准确地表示PLD的电路连线和逻辑关系，采用了一些不同常规的表示方法。;2. 与门与或门;3. 输入互补缓冲器和输出三态缓冲;22.3.2 可编程只读存储器;图1. PROM存储单元全部存1; 图2. PROM编程后的存储矩阵; 例1：在前面图1 所示的PROM存储阵列中，编程时已将其中的一些融丝烧断, 如前图 2 所示, 根据此图：;PROM的基本结构图; 例2: 试用PROM产生一组逻辑函数。;(3) 由Y0~ Y2最小项画出PROM的编程阵列图;用PROM 产生一组逻辑函数;2. 可改写型只读存储器(EPROM）;22.3.3 可编程阵列逻辑 (PAL); PLA与PROM 的结构相似，其区别在于APL译码器部分也可由用户自己编程。;22.3.4 通用阵列逻辑 (GAL)
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