第九章-MOS集成电路1.pptVIP

第9章 MOS集成电路 内容提要 9.1 MOS IC的主要特点 9.2 MOS 倒相器 9.3 饱和负载E／EMOS倒相器 9.4 E/D MOS倒相器 9.5 CMOS IC 9.6 MOS工艺 9.7 版图举例 9-1 MOS IC的主要特点 一、 MOSFET的主要特点 1、MOSFET是电压控制元件－－功耗小 2、MOSFET之间自然隔离－－工艺更简单，面积可以做得更小 3、可以多层布线－－便于元件的紧凑排列和版图的布局设计 4、单元面积小－－组成基本逻辑门电路和触发器等所用的MOS管较少，因此，完成一定逻辑功能的电路所占的芯片面积小，特别适和大规模集成。 二、NMOS的特点 1、μnμp，速度快 2、VTn较低，VDD小，易于与双极型电路匹配 3、工艺复杂，问世较PMOS晚 随着工艺水平的不断提高，NMOS电路得到了广泛应用。我们也只讨论NMOS，所以除CMOS外，不再标出符号中的衬底电极 三、分析方法的特点 1、多子器件：瞬态分析时主要考虑电容的充放电，无少子存贮效应 2、压控器件：主要是电容负载问题 9-2 MOS 倒相器 倒相器是MOSIC中最基本的单元电路，输入管总是EMOS。因为EMOS在0输入下保持截止，不需要额外的电压偏置电路。前级输出电平的范围与后级要求的输入电平范围是一致的，故前后级可以直接连接，使电路简化。 一、一般形式： 二、分类： ①根据负载分类 ②按负载与输入管之间的关系分类 9-3 饱和负载E／EMOS倒相器 一、工作原理 二、特性分析 1、输出特性： TL永远饱和：IDSL＝KL（VGSL－VTL）2＝KL（VDSL－VTL）2 ＝KL（VDD－VO－VTL）2 抛物线 导通状态：VOVDD－VTL 导通电流：ION＝KL（VDD－VTL）2＝ （VDD－VTL）×gml 导通电压：VON＝VOL＝IDSI（ron）I 截止状态：VOFF＝VOH＝VDD － VTL IOFF忽略 2、传输特性：讨论的是输出电压与输入电压的关系 前面由图解法已经得出电压传输曲线，要分析传输特性，实质是写出这个曲线的曲线方程。由于饱和区和非饱和区的电流方程是不同的，所以必须进行分区。由于TL总是饱和的。所以主要根据TI的饱和情况进行分区 3、直流噪容：和TTL电路类似 例题： N沟饱和负载E/E 倒相器， VDD=7v，VT=2v， βR=25， 求VOHMIN=0.9VOH，VOLMAX=0.1VOH条件下的VNML和VNMH。（不考虑衬底偏置效应）。 三、非饱和和自举MOS倒相器 1、非饱和E/EMOS倒相器： 2、自举MOS倒相器： 克服非饱和用两个电源的缺点 自举原理： 比普通反相器增加了预充电管TB和自举电容Cb 9-4 E/D MOS的倒相器 传输特性 静态特性的特点： a、VOH＝VDD，无损失 b、直流特性强烈依赖于负载管的VTD ，通过调节VTD可使VOL↓，可减小面积 c、噪容大 d、负载管具有恒流特性，速度较快 9-5 CMOS IC 有比反相器的弱点： 1、直流功耗大：当Vi＝VOH时，TL和TI同时导通，功耗大 2、两个元件相互依赖：要使VOL↓， βR要足够大，两个元件不能独立选取 3、输出波形上升沿和下降沿很不对称 CMOS基于两个元件交替导通的想法，可解决以上三个弱点。（C是互补的意思） 9-5-1 CMOS倒相器 一、工作原理： CMOS倒相器由一对互补的MOSFET组成，P管和N管互补对称。 二、直流传输特性 电流方程： 画出电压传输曲线并分区,分区线是Vi-VTN=VO, Vi-VTP=VO, Vi=VTN, Vi=VDD+VTP，分成5个区 三、噪容 四、功耗特性 反相器的功耗由三部分组成： 静态功耗Pc＋瞬态功耗P动＋交变功耗Pt 1、静态功耗Pc： CMOS倒相器静态时总有一个管子导通，另一个截止，