第二章-线性电子线路.pptVIP

例1：见书图2-6-5 将参变量IB改为VBE，并将不同VBE的各条输出曲线向负VCE方向延伸，它们将近似交于A点，对应的电压用VA表示，称为厄尔利电压。它的值可以表示曲线上翘的程度。基宽WB越大?调制效应对IC影响越小? 越大，上翘程度越小. （1）厄尔利电压 在考虑三极管基区宽度调制效应时，电流IC的 修正方程： ? （2） 与IC的关系（教材60） IC 0 ? 在IC一定范围内?? 近似为常数。 IC过小?使IB??造成? ?。 IC过大?发射效率? ?造成? ?。 考虑上述因素，IB等量增加时， IC VCE 0 输出曲线不再等间隔平行上移。 一般为50-100V 截止区（ VBE? 0.7V， VCE ? 0.3V） IC /mA VCE /V 0 IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 特点： 条件： 发射结反偏，集电结反偏。 IC ? 0，IB ? 0 近似为IB≤0以下区域 严格说，截止区应是IE = 0即IB = -ICBO以下的区域。 因为IB 在0 ? -ICBO时，仍满足 击穿区 特点： VCE增大到一定值时，集电结反向击穿，IC急剧增大。 V(BR)CEO 集电结反向击穿电压，随IB的增大而减小。 注意： IB = 0时，击穿电压为V(BR)CEO IE = 0时，击穿电压为V(BR)CBO V(BR)CBO V(BR)CEO IC /mA VCE /V 0 IB = 40 ?A 30 ?A 20 ?A 10 ?A 0 IB = -ICBO (IE = 0) V(BR)CBO 三极管安全工作区 IC VCE 0 V(BR)CEO ICM PCM 最大允许集电极电流ICM （若ICICM ?造成 ? ?） 反向击穿电压V(BR)CEO （若VCEV(BR)CEO ?管子击穿） VCEV(BR)CEO 最大允许集电极耗散功率PCM （PC= IC VCE，若PC PCM ?烧管） PCPCM 要求 IC? ICM 放大电路小信号运用时，在静态工作点附近的小范围内，特性曲线的非线性可忽略不计，近似用一段直线来代替，从而获得一线性化的电路模型，即小信号（或微变）电路模型。 2.5 晶体三极管小信号电路模型 三极管作为四端网络，选择不同的自变量，可以形成多种电路模型。最常用的是混合Π型小信号电路模型。 大写字母、大写下标：直流量，如IB 小写字母，小写下标：交流量，如ib 小写字母，大写下标：叠加量，如iB=IB+ib 一、混合Π型电路模型的引出 基区体电阻 发射结电阻与电容 集电结电阻与电容 反映三极管正向受控作用的电流源 由基区宽度调制效应引起的输出电阻 ib ic b c e rbb? rb?e cb?e cb?c rb?c b? gmvb?e rce 二、 混合Π型小信号电路模型 若忽略rb?c影响，整理即可得出混Π电路模型。 rb?e rce cb?c cb?e rbb? b c e gmvb?e b? ib ic 电路低频工作时，可忽略结电容影响，因此低频混Π电路模型简化为： rb?e rce rbb? b c e gmvb?e b? ib ic 三、小信号电路参数 rbb? ——基区体电阻，约几十欧，常忽略不计。 rb?e —— 三极管输入电阻，约千欧数量级。 考虑到 iB =IB+ib， iC=IC+ic，以vBE、vCE为自变量，iB、iC为函数，有 gbe表示b－e间的动态电导 a、b分别为共基和共射交流电流放大系数，与直流很接近，一般不区分。 不计入基区调宽效应，值为0 成为反馈电导 rce三极管输出电阻，数值较大。RL rce 时，常忽略。 跨导gm表示三极管具有正向受控作用的增量电导。 rb?e rce rbb? b c e gmvb?e b? ib ic 四、 简化的低频混Π电路模型 由于 因此，等效电路中的gmvb?e ，也可用? ib表示。 c b e T iC iB rb?e b c e gmvb?e ib ic =?ib 注意：小信号电路模型只能用来分析叠加在Q点上各交流量之间的相互关系，不能分析直流参量。 c b e T iC iB rb?e rce rbb? b c e gmvb?e b? ib ic rb?e b c e gmvb?e ib ic =?ib 由于交流信号均叠加在静态工作点上，且交流信号幅度很小，因此对工作在放大模式下的电路进行分析时，应先进行直流分析，后进行交流分析。 2.6 晶体三极管电路分析方法 直流分析法 分析指标：IBQ、ICQ、VCEQ 分析方法：图解法、估算法 交流分析法 分析指标：Av 、Ri 、Ro 分析方法：图解法、微变