LED芯片制程-五邑大学课件.pptVIP

系列讲座-LED 1、发光二极管的工作原理 LED发射的是自发辐射光（非相干光）。大多采用双异质结结构，把有源层夹在P型和N型限制层间，但没有光学谐振腔，故无阈值。LED分为正面发光型和侧面发光型，侧面发光型LED的驱动电流较大，输出光功率小，但光束发射角小，与光纤的耦合效率高，故入纤光功率比正面发光型LED高。 2、发光二极管的基本结构 发光二极管发射的是自发辐射光，没有光学谐振腔对波长的选择，谱线宽，短波长LED谱线宽度为30～50nm。长波长LED的谱线宽度为6～120nm。 发光二极管的工作特性-输出光功率特性 发光二极管的工作特性-频率特性 4、LED的频率响应曲线 LD和LED的一般性能比较 二、LED芯片的外延 MOCVD制备外延膜过程 (i)反应气体或反应元素因热裂解由边界层(boundary layer)向基板表面输送气相扩散，入射原子冲击基板，一部分被反射，其他吸附于基板上。 (ii)基板表面吸附表面扩散，吸附原子于基板表面上扩散，产生原子间的二次冲撞而形成团簇(cluster,原子集合体)，或只在表面上停留某段时间后，再度蒸发解析脱离。 (iii)表面反应，核形成团簇反覆与表面扩散原子冲撞或以单原子再释放出来，而当原子数超过某一临界值后开始成长，与邻近的团簇聚合而形成连续膜，大多为三位团簇，但以二维团簇的方式生长形式也有。 MOC