MOSFET与IGBT的结构与工作原理.pptVIP

1、掌握城轨车辆交流牵引传动系统的结构及主电路工作原理与基本控制原理 2、了解城轨车辆交流牵引传动系统的主要设备，掌握交流牵引电机的结构、工作原理； 3、掌握城轨车辆直交变频调速的工作原理与能耗制动、再生制动方法； 4、培养学生利用相关仪器、设备对城轨车辆交流牵引传动系统维护、调试及常见故障分析与检修的能力； 5、掌握城轨车辆牵引变流器检查维护的安全操作规范。 城轨车辆电气系统由主牵引传动系统、辅助供电系统、牵引制动控制系统、车门控制系统四大系统组成，如图3-1所示。本项目主要介绍城轨车辆交流主牵引传动系统，如图3-2所示。 城轨车辆采用DC1500V或750供电，经过滤波环节，然后经过逆变器逆变为变压变频（VVVF）的三相交流电，供给三相异步牵引电动机，对牵引电动机实现调速与功率调节。 电传动系统主电路一般是指一个车辆单元的牵引动力电路。由以下部分组成：受流器、牵引箱（PA）、牵引电机、制动电阻箱、电抗器、电气开关等。 3.1 MOSFET的结构、工作原理与特性 逆变器是将输入的直流电通过电力电子装置变换为变压变频的三相交流电。目前城轨车辆逆变器普遍采用的电力电子器件是MOSFET与IGBT。下面介绍MOSFET与IGBT的结构、工作原理与特性。 3.1 MOSFET的结构、工作原理与特性 一、功率场效应晶体管MOSFET 功率场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）简称MOSFET。与GTR相比，功率MOSFET具有开关速度快、损耗低、驱动电流小、无二次击穿现象等优点。它的缺点是电压还不能太高、电流容量也不能太大。所以目前只适用于小功率电力电子变流装置。 3.1 MOSFET的结构、工作原理与特性 （1）功率MOSFET的结构及工作原理 1）结构 功率场效应晶体管是压控型器件，其门极控制信号是电压。 它的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。 功率场效应晶体管有N沟道和P沟道两种。N沟道中载流子是电子，P沟道中载流子是空穴，都是多数载流子。其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种。功率MOSFET绝大多数是N沟道增强型。这是因为电子作用比空穴大得多。N沟道和P沟道MOSFET的电气图形符号如图4-12所示。 3.1 MOSFET的结构、工作原理与特性 3.1 MOSFET的结构、工作原理与特性 功率场效应晶体管与小功率场效应晶体管原理基本相同，但是为了提高电流容量和耐压能力，在芯片结构上却有很大不同：电力场效应晶体管采用小单元集成结构来提高电流容量和耐压能力，并且采用垂直导电排列来提高耐压能力。 几种功率场效应晶体管的外形如图4-13。 2）工作原理 当D、S加正电压（漏极为正，源极为负），UGS=0时，P体区和N漏区的PN结反偏，D、S之间无电流通过；如果在G、S之间加一正电压UGS，由于栅极是绝缘的，所以不会有电流流过，但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少数载流子电子吸引到栅极下面的P区表面。当UGS大于某一电压UT时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，从而使P型半导体反型成N型半导体而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。电压UT称开启电压或阀值电压，UGS超过UT越多，导电能力越强，漏极电流越大。 （2）功率MOSFET的特性与参数 1）功率MOSFET的特性 ①转移特性 ID和UGS的关系曲线反映了输入电压和输出电流的关系，称为MOSFET的转移特性。如图4－14（a）所示。从图中可知，ID较时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率被定义为MOSFET的跨导，即： MOSFET是电压控制型器件，其输入阻抗极高，输入电流非常小。 ②输出特性 图4－14(b）是MOSFET的漏极伏安特性，即输出特性。从图中可以看出，MOSFET有三个工作区： 截止区。UGS≤UT，ID=0，这和电力晶体管的截止区相对应。 饱和区。UGS＞UT，UDS≥UGS-UT，当UGS不变时，ID几乎不随UDS的增加而增加，近似为一常数，故称饱和区。这里的饱和区并不和电力晶体管的饱和区对应，而对应于后者的放大区。当用做线性放大时，MOSFET工作在该区。 非饱和区。UGS＞UT，UDS＜UGS-UT，漏源电压UDS和漏极电流ID之比近似为常数。该区对应于电力晶体管的饱和区。当MOSFET作开关应用而导通时即工作在该区。 在制造功率MOSFET时，为提高跨导并减少导通电阻，在保证所需耐压的条件下，应尽量减小沟道长度。因此，每个MOSFET元都要做得很小，每个元能通过的电流也很小。为了能使器件通过较大的电流，每个器件由许多个MOSFET元组成。 ③开关特性 图4－15是用来测试MOSFET