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华中科技大学
Huazhong University of
Science and Technology Institute of Advanced Materials and Information Technology
磁性材料与器件
主讲教师
先进材料与信息技术研究所
胡作启
华中科技大学
Huazhong University of 磁化的物理过程
Science and Technology Institute of Advanced Materials and Information Technology
畴壁内磁矩取向规则
晶体形变和磁致伸缩能、磁弹性能 畴壁中各原子面上原子磁矩的取向
应在畴壁内过渡时始终保持
退磁能对磁畴的产生的影响问题 与磁壁法线方向间的夹角不变
畴壁厚度和畴壁能
磁畴的概念、磁畴的产生根源 一般计算表达式
θ dθ
畴壁的概念、畴壁的磁矩的转换方式 磁壁厚度 z A1 ∫
及畴壁的划分方法 0 g (θ)
布洛赫畴壁和奈尔畴壁 π/ 2
A g d
γ θ θ
畴壁能 w 1 ∫−π/ 2 ( )
畴壁能的概念及畴壁密度的计算
∂θ 2
畴壁的取向规则 g (θ) A ( )
1
∂z
相邻两磁畴中的自发磁化矢量在
畴壁法线方向的投影分量相等
华中科技大学
Huazhong University of 磁化的物理过程
Science and Technology Institute of Advanced Materials and Information Technology
但如果考虑到磁畴的自发形变对
畴壁所产生的磁弹性能的影响
1、计算一般表达式 则180°畴壁仍然可能出现
θ dθ
磁壁厚度 z A1 ∫ 若Ms在易磁化轴[100]的±方向上
0
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