微电子器件与IC设计CH6-2MOSFET直流特性.pptx

6.4.1 萨支唐方程（ 以n沟道MOSFET 为例） 一. 理想模型： ① 源、漏区欧姆接触压降及体压降可忽略； ② 反型层中μn为常数； ③ 沟道电流为漂移电流； ④ 源/漏、沟道与衬底之间反向电流为零；;沟道y处半导体表面感应电荷面密度：QS(y )= Qn(y) + QB(y) 半导体表面开始强反型时y处表面势：VS ＝ V(y) + 2?F 半导体表面开始强反型时栅极电压：VGS = VFB + VOX +VS 强反型条件：VGS = VFB － QS(y)／COX + V(y) + 2?F 强反型y处感应电荷：QS(y)=－COX(VGS － V(y) － 2 ?F － VFB);;二. 讨论;;;;2. 转移特性曲线（VGS～IDS）;四. MOSFET的直流参数;5. 栅源直流输入阻抗RGS：栅下SiO2层电阻;;影响直流特性的因素;1;2. 沟长调制效应（CLM）;;3. 迁移率调制效应;;3. 迁移率调制效应;3. 迁移率调制效应;4. 温度的影响;6.4.3 MOSFET 的击穿特性;6.4.3 MOSFET 的击穿特性;6.4.3 MOSFET 的击穿特性;4. 漏源势垒穿通（短沟道器件）;6.4.4 亚阈特性;（1）当VDS;6.5.1 交流小信号参数 》 小信号：外加信号电压变化幅度足够小，如kT/q ? I-V 线性关系 》 低频下 ? 准静态分析 ? 端电流与端电压函数 关系与直流V-I相同 ? 交流小信号参数为常数;栅跨导 由载流子速度饱和决定的gm:;提高跨导的措施;;3. 漏源电导gd;;;栅源电容;栅漏电容;6.5.3 交流小信号等效电路;;如图：器件工作于饱和区，Cgd = 0，则高频共源等效电路;输入回路;;1. ↑μ，↓界面态、固定电荷；埋沟器件 （ ↓表面散射）；NMOS比PMOS有利；选用 μ 高的材料； 2. ↓L，最重要（ ↓ 沟道渡越时间）； 3.↓寄生电容：自对准工艺（ ↓ 重叠区电容）、 SOI结构（衬底寄生电容）;3. 最高振荡频率 fM;6.6 MOSFET开关特性;E/E NMOS开关;饱和E/E NMOS反相门;E/D NMOS反相器;当输入低电平时，输出为高电平: VOH = VDD 当输入高电平时， 耗尽型负载管处于饱和 态，可以等效为一个恒流源，可求出E/D反相器 的输出低电平为：;CMOS反相器;;CMOS倒相器的负载延迟;CMOS倒相器的传输延迟时间;7.8 MOSFET的温度特性;三. 几个主要参数的温度特性;MOSFET尺寸的缩减在一开始即为一持续的趋势.在集成电 路中,较小的器件尺寸可达到较高的器件密度．此外，较短的沟 道长度可改善驱动电流(ID～1/L)以及工作时??特性．然而，由 于器件尺寸的缩减，沟道边缘( 如源极、漏极及绝缘区边缘 )的 扰动将变得更加重要．因此器件的特性将不再遵守长沟道近似 的假设． 短沟道效应(short-channel effect ) 前面所得到的阈值电压是基于渐变沟道近似推导得出的， 亦即衬底耗尽区内的电荷仅由栅极电压产生的电场所感应．即 VT与源极到漏极间的横向电场无关．然而随着沟道长度的缩 减，源极与漏极间的电场将会影响电荷分布、阈值电压以及器 件漏电等器件特性．;当沟道的边缘效 应变得不可忽略时， 随着沟道的缩减， n 沟道MOSFET的阈值 电压通常会变得不像 原先那么正，而对于 p 沟 道 MOSFET 而 言，则不像原先那么 负 ， 右 图 显 示 了 在 VDS=0.05V 时 VT 下 跌 的现象．;阈值电压下跌可用如图所示的电荷分享模型来加以解释，此图 为 一 个 n 沟 道 MOSFET 的 剖 面 图 ， 且 器 件 工 作 在 线 性 区 (VDS≤0.1V)，因此漏极结的耗尽区宽度几乎与源极结相同．由于沟 道的耗尽区与源极和漏极的耗尽区重叠，由栅极偏压产生的电场所;1. 源/漏电荷分享;讨论： 1) L较大时，L≈L1，梯形面积→L× xdm (长沟MOSFET);1. 源/漏电荷分享;;1. 源/漏电荷分享;x j和 tox 大，NA低的4μm器件的短沟 效应 x j 和 tox小，NA高的2μm器件。 短沟效应还与Vsb有关。Vsb↑，xdm↑，短沟效应越严重。 窄沟道效应： 在薄栅氧化层和厚场氧化层（Locos隔离）之间存在一圆锥 形的氧化层过渡区，引起附加耗尽电荷 ?Qw;当器件尺寸缩减时,必须将短沟道效应降至最 低程度,以确保正常的器件特性及电路工作.在器 件按比例缩小设计时需要一些准则，一个简要维 持长沟道特性的方法为将所有的尺寸及电压，除 上一按比例缩小因素?(＞1)，如此内部电场将保 持如同长沟道MOSFET一般，此方法称为恒场等比 缩小定律(CE).;器件在