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SiC功率半导体介绍 Confidential c 2009 ROHM Co.,Ltd. All Rights Reserved 2 作为功率半导体SiC的魅力，优点 与其他材料的对比 半导体材料 Si SiC GaN 钻石 能带隙(eV) 1.12 3.26 3.42 5.47 电子移动度(cm2/Vs) 1350 1000 1500 2000 绝缘击穿电场(MV/cm) 0.3 2.8 3 8 物性数据 饱和漂移速度(cm/s) 1.0 x 107 2.2 x 107 2.4 x 107 2.5 x 107 热传导率