体硅工艺中单粒子多瞬态效应的研究.pdfVIP

年第 卷第 期 体硅工艺 中单粒子多瞬态效应的研究 梁永生 吴郁 郑宏超 李 哲 北京工业大学 信息学部北京 北京微电子技术研究所北京 摘 要针对 场效应晶体管由重离子辐射诱导发生的单粒子多瞬态现象参考 体硅 的单粒子 瞬态效应的试验数据 采用 仿真手段 搭建了 体硅 晶体管的 模型 并进一步对无加固结构 保 护环结构 保护漏结构以及保护环加保护漏结构的抗单粒子瞬态效应的机理和能力进行仿真分析 结果表明