基极特性曲线.ppt

4-1　PNP與NPN電晶體之 物理特性及架構 4-2　電晶體之電流成分 4-3　共基極組態 (1) 電晶體E、B、C三隻腳，分別擔當輸入端、 輸出端及接地端任務。 (2) 種類 (3) 電晶體放大器三個不同端點之區分 (1) 電流之符號，以流入電晶體者為正，流出 電晶體者為負。 ?PNP電晶體：IE為正，IB與IC為負。 ?NPN電晶體：IE為負，IB與IC為正。  (2) 共基極組態：訊號由E、B極輸入，C、B 極取出，B極為迴路所共有。 (3) 基極與其他電極的電壓分別為VEB與VCB。 ?PNP電晶體：VEB為正，VCB為負。 ?NPN電晶體：VEB為負，VCB為正。 4-4　共射極組態 4-5　共集極組態 節目錄 ?截止區 IB=0時，IE≠0。 電晶體的B、E與C、B接面均為逆向偏壓。 為了得到線性放大，此區域應該避免使用。 電晶體是截止的，相當於開路，可當開關（ OFF ）使用。 指VEC=VEC(sat)的左邊部分。 電晶體的B、E與C、B接面均為順向偏壓。 電晶體是飽和的，相當於短路，可當開關（ ON ）使用。 ?飽和區 節目錄 3.輸入（基極）特性曲線 (1) IB隨著|VBC|之增加而增加。 (2) |VEC|的變化不致造成特性曲線有大的遷移。 * 第4章　雙極性接面電晶體 4-1　PNP與NPN電晶體之物理特性及架構 4-2　電晶體之電流成分 4-3　共基極組態 4-4　共射極組態 4-5　共集極組態 總目錄 節目錄 1.電晶體的物理結構及電路符號 節目錄 (1) 電晶體的三個接腳 ?射極（ E ）：發射載子的電極。 ?集極（ C ）：收集載子的電極。 ?基極（ B ）：控制載子多寡的電極。 (2) 分類 多數載子－電洞 少數載子－電子 多數載子－電子 少數載子－電洞 PNP型 NPN型 節目錄 2.電晶體的物理特性 (1) 摻入雜質的濃度比： (2) 製造寬度比： (3) 射極（ E ）與集極（ C ）對調使用，則增益 下降，耐壓也會下降。 (4) 不可以使用兩個背對背二極體來取代電晶體 ，因為它不具放大作用。 節目錄 1.電晶體的偏壓接法 節目錄 (1) 電晶體的二個PN接面 JE ：射、基極的PN接面 JC：集、基極的 PN接面 (2) 電晶體當放大器使用 JE：施加順向偏壓 JC：施加逆向偏壓 節目錄 (3) 工作原理 空乏區寬度縮小 多數載子自P→N大量 移動（ PNP電晶體） 多數載子流動為零 造成少數載子的流動 E、B順偏 B、C逆偏 節目錄 2.電晶體的電流放大作用 (1) 應用克希荷夫電流定律 IE=IC+IB ?IC約占IE之90~99.8% ?IB約占IE之0.2~10% ?IC=IC多數+ICO少數 (2) 電晶體為電流控制元 件，即 IC=f (IB) (3) 欲提高電流放大率 射極雜質濃度增加 基極寬度WB變窄 節目錄 1.電晶體放大器的種類 節目錄 共基極接地式放大器（ CB ） 共射極接地式放大器（ CE ）共集極接地式放大器（ CC ） 節目錄 2.共基極放大電路 節目錄 節目錄 3.輸出（集極）特性曲線 節目錄 (1) 集極特性曲線：表示集極電流IC與VCB及IE之 間的關係。 (2) 三個工作區域 ?作用區 指IE=0之曲線上方及VCB=0的垂直線右側。 電晶體的射、基極接面加上順向偏壓，而集、基極接面為逆向偏壓。 電晶體是導通的，可以擔任放大工作。 節目錄 ?截止區 ?飽和區 指IE=0之曲線下方。 電晶體的射、基極接面及集、基極接面皆為逆向偏壓。 電晶體是截止的，可當開關（ OFF ）使用。 指VCB的水平軸擴展到0V的左邊部分。 電晶體的射、基極接面及集、基極接面皆為順向偏壓。 電晶體相當於短路，可當開關 （ ON）使用。 節目錄 4.輸入（射極）特性曲線 (1) 射極特性曲線：表示當VCB為固定值時，VEB 與IE的關係。 (2) 當VEB愈大時，IE隨 VEB的增加而增加。 (3) 當VEB固定時，若 |VCB|愈大時，IE也 愈大，其曲線愈往 左