CCD工作原理详解.pptVIP

CCD成像技术及其在遥感中的应用第二章 CCD工作原理;内容;CCD的工作过程;CCD的性能很大程度上是由电荷图像的生成决定的，CCD电荷图像的生成是CCD工作最重要的过程之一。;硅和锗都是金刚石晶格结构; 通过加热或光照，处于价带的电子可以被激发到导带。把电子由价带激发到导带所需的能量要超过价带与导带之间的能隙Eg(硅的Eg＝1.12eV,砷化镓的Eg＝1.42eV)。;电荷的生成;电荷的生成;电荷的生成 能带理论复习;电荷的生成 有关参数;电荷的生成;厚型前照明 CCD;硅片减薄到 15?m左右，光线由背面射入，避免了电极对光线的阻挡，可以得到很高的量子效率。由于可以在硅表面制作减反膜，短波响应将得到很大提高。; 空气或真空的折射率为 1.0， 硅为 3.6。利用上述方程式可以得出 在空气中硅的反射率是 32%。除非采取适当的措施消除这种反射，否则硅CCD只能探测到2/3的入射光子。增透膜可以解决这个问题。; 加入增透膜以后，有三种介质需要考虑：;右图是 EEV 42-80 CCD的反射率曲线。这种薄型 CCD 是专为提高蓝光谱响应设计的，其增透膜最佳工作波长为 400nm。在400nm 反射率下降到左右1% 。;电荷的生成;电荷的生成;电荷的生成;电荷的生成;电荷的生成 Foveon X3 Sensors;电荷的生成 Foveon X3 Sensors;电荷的生成;电荷的生成;电荷的生成;电荷的收集;电荷的收集 MOS 电容器;电荷的收集 MOS 电容器;无偏置时， n-型层内含有多余的电子向p-型层扩散， p-型层内含有多余的空穴并向n-型层扩散； 这个结构与二极管结的结构完全相同。上述的扩散产生了内部电场，在n-型层内电势达到最大。; CCD曝光时，每个像元有一个电极处于高电位 。硅片中这个电极下的电势将增大，成为光电子收集的地方，称为势阱。其附近的电极处于低电位，形成了势垒，并确定了这个像元的边界。像元水平方向上的边界由沟阻确定。; CCD曝光时，产生光生电荷，光生电荷在势阱里收集。随着电荷的增加，电势将逐渐变低，势阱被逐渐填满，不再能收集电荷，达到饱和。 势阱能容纳的最多电荷称为满阱电荷数。;实际的埋沟结构 埋沟结构的两边各有一个比较厚(~0.5-1.5μm)的场氧化物区。该区与高掺杂的 p-型硅一起形成形成沟阻，该区的静电势对栅极的电压和电压变化不敏感，始终保持形成势垒。;埋沟结构的MOS电容的主要特点是： 能在单一电极之下的一个局部区域内产生势阱； 能调整或控制栅极下面的势能； 储存电荷的位置 (势能最小处)离 Si- Si02 交界面有一定的距离； 低的暗电流使其能够长时间的储存信号电荷 (取决于工作条件可以从数十秒到数小时)； 所收集的电荷可以通过光照、电注入等产生； 能快速地将电荷从一个电极之下的一个位置转移到下一个邻近的电极下面，而且损失非常低。;;电荷的收集;电荷的收集;电荷的转移; 下面通过类比说明 CCD 收集、转移和测量电荷的过程。;每个小盆接到的 雨水数量不同;先将雨水向左移动;倒空量筒;又一次测量结束。;倒空量筒;重复上述转移－测量的过程，直到所有小盆中雨水的数量都测量完毕。 准备好进行下一次开始接雨水（曝光）。; ; ;;电荷的转移 三相CCD; 电荷包的转移是通过变换CCD电极电压来完成的。下列图中，标注红色的电极为高电势，标注黑色的电极为低电势。;;;;;;;;电荷的测量;;;;;;电荷的测量;复位FET用开关等效，输出节点电容用电容等效。 该电容的典型值都小于 0.1pF 。 根据 V = Q/C, 这个电容的两端将产生与这个电荷包电荷量成比例的电压，也是某个特定像元入射光强度成比例的电压。Vout = G×Qm/Cs 2-8;电荷的测量 等效电路;复位管不是理想开关，存在导通电阻。这个电阻的热噪声在复位时会通过节点电容叠加到信号上输出形成复位噪声。;复位噪声计算： 导通电阻热噪声 k: 波尔茨曼常数，T:绝对温度，B:带宽 CCD 利用单极点模型，B = 1/(4RC);举例说明： 复位噪声 Cs = 0.1pF, RON = 2k? 噪声带宽 B = 1.25GHz nR = 0.203mV ，相当于126个电子。 输出电阻热噪声 当B＝1MHz, RL=2k?时 nW ＝5.75?V rms;CCD工作过程与性能;CCD与CMOS比较;;性能;CMOS的集成度高 ;CMOS的填充因子较低 ;;CCD的基本结构非常简单，就是MOS电容。了解MOS电容就了解了收集电荷的势阱，了解了隔离电荷包的势垒，了解了供电荷转移的沟道。 CCD的输出结构对CCD性能的影响至关重要。通过对输出结构的学习，重点了解CCD输出信号的特殊性