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集成电路的引脚识别 圆形金属封装集成电路的引脚排列 双列扁平陶瓷封装或双列直插式封装集成电路的引脚排列 单列直插式集成电路的引脚排列 四边带引脚的扁平封装集成电路的引脚排列 555时基电路 二极管的参数 ⑴ 整流、检波、开关二极管。 这类二极管有两个相同的主要特性参数,即最大整流电流IF和最大反向电压URRM。 ⑵ 稳压二极管。 稳压二极管的主要参数有稳定电压Uz、最大工作电流IZM、最大耗散功率PZM、动态电阻RZ和稳定电流IZ等。 ⑶ 发光二极管。 发光二极管的主要参数有最大正向电流IFM、正向工作电压UF、反向耐压UR和发光强度IV。 常用的1N4000系列二极管耐压比较如下: 型号 1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 耐压(V) 50 100 200 400 600 800 1000 电流(A) 均为1 iZ /mA uZ/V O ?UZ ? IZmin ? IZmax ?UZ ?IZ ? IZ 稳压二极管的特性 工作条件:反向击穿 发光二极管的特性 u /V i /mA O 2 工作条件:正向偏置 工作电流 : 几毫安 ~几十 毫安 导通电压 : ( 1 ? 2) V 半波整流电路 二极管导通,uL=u2 二极管截止, uL=0 + – io + – u2 0 时: u20时: u2 uL uD ?t ? 2? 3? 4? 0 全波整流电路 + – + – 原理: + – + – 变压器副边中心抽头,感应出两个相等的电压u2 当u2正半周时, D1导通,D2截止。 当u2负半周时, D2导通,D1截止。 全波整流电压波形 u2 uL uD1 ?t ? 2? 3? 4? 0 uD2 桥式整流电路 (1)组成:由四个二极管组成桥路 u2正半周时: D1 、D3导通, D2、D4截止 + – (2)工作原理: u2 uL - + u2负半周时: D2、D4 导通, D1 、D3截止 u2 uL 集成硅整流桥: u2 uL + ? – ? ~+~- ? ? + – 二极管的极性 触丝 半导体片 (2) 用数字式万用表检测 红表笔是(表内电源)正极, 黑表笔是(表内电源)负极。 2k 20k 200k 2M 20M 200 ? 在 挡进行测量,当 PN 结完好且正偏时,显示值为PN 结两端的正向压降 (V)。 反偏时,显示 。 3. 用万用表检测稳压二极管 稳压二极管的外型与普通二极管相似,极性判断方法与普通二极管相同。 稳压值的判断: 0~30V 连续可调 直流稳压电源 v 1.5 k? 被测管 + - + - 5).半导体三极管 频率: 高频管、低频管 功率: 材料: 小、中、大功率管 硅管、锗管 类型: NPN型、PNP型 半导体三极管是具有电流放大功能的元件 发射结 集电结 基极 发射极 集电极 晶体三极管是由两个PN结组成的 发射区 基区 集电区 箭头:表示发射结加正向电压时的电流方向。 文字符号:V 晶体三极管的符号 三极管工作在放大状态的外部条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压。 三极管的工作电压和基本连接方式 一、晶体三极管的工作电压 三极管的基本作用是放大电信号。 晶体三极管的输出特性曲线 基极电流一定时,集、射极之间的电压与集电极电流的关系曲线。 三极管的输出特性 1.集电极— —基极反向饱和电流ICBO。 反向饱和电流随温度增加而增加,是管子工作状态不稳定的主要因素。因此,常把它作为判断管子性能的重要依据。硅管反向饱和电流远小于锗管,在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。 极间反向饱和电流 2.集电极— —发射极反向饱和电流ICEO。 三极管的简单测试 一、硅管或锗管的判别 当V=0.1~0.3V时为锗管。 当V=0.6~0.7V时,为硅管 估计比较β的大小 NPN管估测电路如图2.1.12所示。 万用表设置在 挡,测量并比较开关S断开和接通时的电阻值。前后两个读数相差越大,说明管子的β越高,即电流放大能力越大。 估测PNP管时,将万用表两只表笔对换位置。 NPN
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