纳米材料纳米结构性能应用基础55824.docVIP

项目名称： 纳M材料和纳M结构的性能与应用基础 首席科学家： 解思深 中国科学院物理研究所 起止年限： 2005.12至2018.11 依托部门： 中国科学院 一、研究内容 本项目拟解决的关键科学问题是： 纳M材料和纳M结构的可控生长是纳M材料与纳M结构研究中的基本问题之一。本项目拟从研究可控生长的条件及生长动力学出发，总结基本实验规律及纳M尺度下物质和能量的输运的规律和理论模型，实现纳M材料生长中尺寸、形状、方向、位置及结构的控制。 纳M体系中的尺寸效应、表面与界面、电子相干性是纳M材料与纳M结构研究中的另一基本问题。本项目拟研究纳M材料中的发光行为、电子的量子输运、纳M复合体系的磁性及其它量子相干效应、位错与界面的交互作用、纳M材料在外场中的响应，以及它们与电子、声子等元激发的基态和激发态的关系。得到经验规律，提出理论模型，实现对纳M材料与结构的性能调控，揭示纳M材料的优异性能。 在纳M材料可控制备和结构性能关系研究的基础上，探索纳M材料与纳M结构在制造业、信息技术、能源、环境、健康医疗、生物技术和国家安全等领域中的应用。本项目拟探索若干种关键的纳M材料和纳M结构，在场发射平板显示、光电器件、传感器的应用，并发展高强、高导热、高导电等实用纳M材料和纳M结构。 具体的科学问题分解为以下三个方面： 一）纳M材料和纳M结构的生长动力学及可控生长 1、纳M材料的物相、结构和形状的可控生长及机理 2、纳M超结构(核壳、异质、同质异性结构、有序阵列等的设计与合成 3、金属材料结构纳M化的动力学过程 4、纳M氮化物和碳化物材料的可控制备和应用探索 5、与标准的半导体制备环境相兼容的纳M管/纳M线制备技术 二）纳M材料和纳M结构中的结构－性能关系的新规律及其演化 1、一维纳M材料中的电输运和热导行为及其器件设计、制备中的基本问题 2、纳M结构对磁熵变、居里温度及磁电阻的调控规律 3、金属及其合金纳M结构的综合力学和电学性能 4、纳M体系的热力学及纳M材料的结构演化规律及稳定性 5、纳M异质结构及阵列的表、界面结构和环境(气氛、外场对性能的影响 6、研究电极材料与电极结构纳M化对离子、电子传输动力学的影响 三）纳M材料和纳M结构优异性质的应用 1、一维纳M材料为基的原理型量子器件的探索 2、纳M材料在场发射器件中的应用和性能提高 3、高强、高导热、高导电等纳M材料和纳M结构的应用探索 4、纳M复合磁性材料在磁致冷和磁传感领域中的可能应用 5、通过比表面的调控提升金属-空气电池容量、功率与寿命 本项目的主要研究内容 一）纳M材料合成方法探索及可控生长研究 1、系统研究纳M材料合成及可控生长的热力学和动力学过程，寻找有利的纳M材料合成与生长的工艺条件。由经验规律导出纳M尺度下影响生长过程的热力学和统计物理的规律，从理论上对热力学和动力学控制纳M材料合成生长进行诠释，发展无机纳M材料制备技术和研究其形成机理，以期实现纳M材料的可控合成与生长。 2、探索“自下而上”制备纳M材料的新途径。以溶剂热和复合溶剂热合成为主要方法，发展γ-射线、超声、微波等外场辅助的纳M材料制备技术。 3、一维纳M材料的催化生长机理及结构控制，研究纳M催化剂的组分、尺寸、形状及外场对一维纳M材料生长的影响，制备物相、形状、尺寸可控的一维纳M线、管、带、线圈、空心球和其它纳M结构。 4、纳M异质结构和二元/赝二元体系的一维纳M材料的轴向结构控制。具有一维准有序结构的纳M材料和纳M芯壳结构的设计与合成。 5、纳M管/纳M线阵列的定位生长与定向生长。通过微纳M光刻技术制备金属催化剂图型，利用CVD方法和外场控制，在衬底上的确定位置生长纳M管/纳M线的阵列的技术。 6、发展与IC-工艺兼容的纳M管/纳M线合成与集成技术。研究纳M管/纳M线的合成条件(如温度、衬底、催化材料等与器件工艺的兼容性。 二）纳M材料的性能研究与调控 1、一维纳M材料和纳M异质结构中电子态、声子态和低能元激发的谱学及相互作用性质的研究，重点研究力学性质、电输运性质、发光性质及热学性质，一维纳M材料和纳M异质结构中的结构－性能关系的尺度效应。 2、电介质/贵金属芯壳纳M结构对表面等离子体共振(SPR吸收峰移动的影响，研究同轴异质纳M棒的荧光现象及变化规律，分别实现对SPR峰和荧光峰位在较大波长范围内的调控。 3、表面状态和环境对一维纳M材料和纳M异质结构性能的影响，研究纳M结构阵列表面化学、生物修饰(包括官能团的接枝以及纳M异质结构的环境敏感性等。研究环境和表面状态对结构或性能的影响。 4、纳M磁性颗粒的尺度、极化取向和在半导体基体中的分布对磁性金属/半导体复合体系中电子传输规律的影响，探索通过控制磁性金属纳M颗粒尺寸、极化取向和分布优化体系的磁学性质和输运性能的新途径。 5、研究纳M化电极的组成、结构与化学能