传感器与检测技术第十一章.pptVIP

11.2.2 光敏电阻 　　光敏电阻又称光导管，其工作原理是基于光电导效应：在无光照时，光敏电阻具有很高的阻值；在有光照时，当照射光中光子的能量大于材料的禁带宽度，价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带，激发出可以导电的电子-空穴对，使电阻迅速降低；光线愈强，激发出的电子-空穴对越多，电阻值越低；光照停止后，自由电子与空穴复合，导电性能下降，电阻恢复原值。光敏电阻几乎都是用半导体材料制成的，其常用的材料有硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)、硫化铅(PbS)、硒化铅(PbSe)和锑化铟(InSb)等。 　　光敏电阻的结构很简单，其结构如下图(a) 。由于光电导效应只限于光照表面的薄层，一般将半导体材料制成薄膜，电极构造则做成梳形，如下图(b)。这样，缩短 了光敏电阻电极之间的距离，减少了载流子通过电极的时间Tc，而材料的载流子寿命τc又比较长，于是光敏电阻就具有很高的内部增益G，从而可获得很高的灵敏度。为防止外来干扰，外壳的入射孔用能透过所需光谱光线的透明保护窗(如玻璃)，亦可在半导体光敏层上覆盖一层漆膜，漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最大。为解决光敏电阻管芯受潮问题，光电半导体必须被严密封装在壳体中或在其表面涂防潮树脂涂料。 11.2.2 光敏电阻 11.2.2 光敏电阻 光敏电阻具有灵敏度高，体积小，质量轻，光谱响应范围宽，机械强度高，耐冲击，耗散功率大，抗过载能力强，以及寿命长等特点。 光敏电阻的主要参数有： 　　（1）暗电阻与暗电流 室温条件下，光敏电阻在不受光照后经过一定时间测得的电阻值，称为暗电阻，此时在给定工作电压下流过光敏电阻的电流称为暗电流。 　　（2）亮电阻与亮电流 光敏电阻在受光照射时的阻值，称为该光照下的亮电阻，此时流过的电流称为亮电流。 　　（3）光电流 亮电流与暗电流之差称为光电流。 11.2.2 光敏电阻 （1）伏安特性 　　在一定照度下，流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端所加电压之间的关系称为光敏电阻的伏安特性。下图为硫化镉光敏电阻的伏安特性曲线。由曲线可知，在同一光照度下，光敏电阻在一定电压范围内，I-U曲线为直线，且没有饱和现象；在给定的外加电压下，光照度越大，光电流也越大。说明在额定范围内，其阻值与入射光量有关，而与工作电压、电流的大小无关。但不能无限制地提高光敏电阻的工作电压，光敏电阻都有最大额定功率、最高工作电压和最大额定电流。超过最大工作电压和最大额定电流，将可能导致光敏电阻永久性损坏。光敏电阻的最高工作电压是由耗散功率决定的，而光敏电阻的耗散功率又与面积大小以及散热条件等因素有关。 11.2.2 光敏电阻 硫化镉光敏电阻的伏安特性 光敏电阻的光照特性 （2）光照特性 　　光敏电阻的光照特性描述的是光电流I和光照强度之间的关系，不同材料具有不同的光照特性，绝大多数光敏电阻的光照特性是非线性的，类似右上图种的曲线形状。图是硫化镉光敏电阻的光照特性。 （3）光谱特性 　　光敏电阻对入射光的光谱具有选择作用，即光敏电阻对不同波长的入射光有不同 11.2.2 光敏电阻 的灵敏度，不同种类光敏电阻峰值波长也不同。光敏电阻的相对灵敏度与入射波长的关系称为光敏电阻的光谱特性，亦称为光谱响应。光敏电阻的光谱灵敏度和峰值波长与所采用材料、掺杂浓度有关。 光敏电阻的光谱特性 光敏电阻的响应时间 左上图为硫化镉、硫化铅、硫化铊光敏电阻的光谱特性曲线。由图可见，硫化镉光敏电阻的光谱响应峰值在可见光区域，接近人的视觉特性，常用作光度量测量（照度计） 11.2.2 光敏电阻 的探头；而硫化铅光敏电阻响应敏感区在近红外和中红外，常用作火焰探测器的探头。在选用光敏电阻时，应注意和光源的光谱特性相匹配，以获得良好的效果。 4）响应时间和频率特性 　　在阶跃脉冲光照射下，光敏电阻的光电流要经历一段时间才能达到最大饱和值；光照停止后，光电流也要经历一段时间才能够下降到暗电流水平。这是光电阻的弛豫现象，通常用响应时间来描述。响应时间可分为上升时间t1、t2和下降时间t1’、t2’ ，如右上图所示。 　　响应时间的长短常用时间常数τ来描述。产品说明书中也会说明光敏电阻时间常数的值，大多数光敏电阻的时间常数都在10-6s~1s数量级。实验表明：光敏电阻的响应时间与前历时间有关，在暗处放置时间越长，响应时间越长；响应时间也与照度有关，照度越大，响应时间越短。 11.2.2 光敏电阻 　　由于不同材料的光敏电阻响应时间不同（典型值为毫秒数量级），因而它们具有不同的频率特性。下图表示不同材料光敏电阻的频率特性，即相对光谱灵敏度与照度调制频率的关系曲线。可以看出，硫化铅的有效使用频率范围较大。光敏电阻是光电器件中响应速度最慢的，这是它的缺点之一。因此，利用其作开关元件仅