传感器应用技术项目九.pptVIP

【知识要求】 　　1.了解气敏传感器的原理及应用范围。 　　2.了解气敏传感器的分类及工作特点。 　　3.通过与传统的气体检测传感器的比较，掌握气敏电阻的优越性。 　　4.了解湿敏传感器的原理及应用范围。 　　5.了解湿敏传感器的分类及工作特点。 　　6.了解气、湿敏传感器的发展方向。 　　重点：气敏电阻传感器的工作原理，湿敏电阻传感器的原理与应用。 【能力要求】 　　1.正确地识别各种气、湿敏传感器及其特点和其在整个工作系统中的作用。 　　2.在设计中，能够根据工作系统的特点，找出合适的传感器。 　　3.能够准确地判断出传感器的好坏。 　　4.能够设计一个简单的测量电路。 （一） 半导体气敏传感器 主要物理特性 类型 气敏元件 检测气体 电阻型 电阻 表面控制型 SnO2、ZnO等的烧结体、薄膜、厚膜 可燃性气体 体控制型 La1-xSrCoO3、T-Fe2O3、氧化钛（烧结体）、氧化镁、SnO2 酒精、可燃性气体、氧气 非电阻型 二极管整流特性 表面控制型 铂硫化镉，铂氧化钛（金属半导体结型二极管） 氢气、一氧化碳、酒精 晶体管特性 铂栅、钯栅MOS场效应管 氢气、硫化氢 半导体气敏元件分类 　　1.电阻型半导体气敏材料的导电机理 N型半导体吸附气体时器件阻值变化图 　　2.电阻型半导体气敏传感器的结构 　　气敏传感器通常由气敏元件、加热器和封装体等三部分组成。气敏元件从制造工艺来分有烧结型、薄膜型和厚膜型三类。它们的典型结构如图所示。 半导体传感器的器件结构 　　直热式结构如图(a)、(b)所示。旁热式是将加热丝和敏感元件同时置于一个陶瓷管内，管外涂梳状金电极作测量极，在金电极外再涂上SnO2等材料，其结构如图(c)、(d)所示。 气敏器件结构与符号 　　3.气敏器件的基本特性 　　(1)SnO2系 　　烧结型、薄膜型和厚膜型SnO2气敏器件对气体的灵敏度特性如图所示。气敏元件的阻值Rt与空气中被测气体的浓度C成对数关系变化 SnO2气敏器件对气体的灵敏度特性 式中，n与气体检测灵敏度有关，除了随材料和气体种类不同而变化外，还会由于测量温度和添加剂的不同而发生大幅度变化；m为气体的分离度，随气体浓度变化而变化。对可燃性气体，在气敏材料SnO2中添加铂(Pt)或钯(Pd)等作为催化剂，可以提高其灵敏度和对气体的选择性。添加剂的成分和含量、元件的烧结温度和工作温度都将影响元件的选择性。 添加ThO2的SnO2气敏元件在不同浓度CO气体中的灵敏度特性 　　SnO2气敏元件易受环境温度和湿度的影响，图给出了SnO2气敏元件受环境温度、湿度影响的综合特性曲线。由于环境温度、湿度对其特性有影响，所以使用时，通常需要加温度补偿。 ZnO系气敏元件的灵敏度特性 　　(2) ZnO系 　　ZnO系气敏元件对还原性气体有较高的灵敏度。它的工作温度比SnO2系气敏元件高100 ℃左右，因此不及SnO2系元件应用普遍。同样如此，要提高ZnO系元件对气体的选择 性，也需要添加Pt和Pd等添加剂。 ZnO系气敏元件的灵敏度特性 　　4.非电阻型气敏器件 　　(1) MOS二极管气敏器件 　　MOS二极管气敏器件是在P型半导体硅片上，利用热氧化工艺生成一层厚度为50～100 nm的二氧化硅(SiO2)层，然后在其上面蒸发一层钯(Pd)的金属薄膜，作为栅电极，如图(a)所示。由于SiO2层电容Ca固定不变，而Si和SiO2界面电容Cj是外加电压的函数,其等效 电路如图(b)所示。 　　由等效电路可知，总电容C也是栅偏压的函数。其函数关系称为该类MOS二极管的C-V特性。由于钯元素对氢气(H2)特别敏感，当钯元素吸附了H2以后，会使钯元素的功函数降低，导致MOS管的C-V特性向负偏压方向平移，如图(c)所示。根据这一特性就可用于测定H2 的浓度。 MOS二极管结构和等效电路 　　(2) 钯-MOS场效应晶体管气敏器件 　　钯-MOS场效应晶体管(Pd-MOSFET)的结构与普通MOS-FET结构，参见图。从图可知，它们的主要区别在于栅极G。Pd-MOSFET的栅电极材料是钯(Pd),而普通MOSFET的栅电极材料为铝(Al)。因为Pd对H2有很强的吸附性，当H2吸附在Pd栅极上，引起Pd的功函数降低。由MOSFET工作原理可知，当栅极(G)、源极(S)之间加正向偏压VGS，且VGS＞VT(阈值电压) 时，则栅极氧化层下面的硅从P型变为N型。 　　这个N型区就将源极和漏极连接起来，形成导电通道，即为N型沟道。此时，MOSFET进入工作状态。若此时，在源(S)极和漏(D)极之间加电压VDS，则源极和漏极之间有电流流通(IDS)。IDS随VDS 和VGS的大小而变化，其变化规律即为MOSFET的V-A特性。当VGS＜VT时，MOSFET的沟道未形成，