物理气相沉积2真空蒸发技术.pptVIP

第二节 真空蒸发技术 按加热方式分类： 一、电阻蒸发源 蒸发源材料的要求 1）熔点要高，熔点要高于被蒸发物质的蒸发温度（多在1000~2000℃）； 2）饱和蒸气压低，减少蒸发源材料蒸气的污染。要求：蒸发材料的蒸发温度低于蒸发源材料在平衡蒸气压为10-8托时的温度; 3）化学性能稳定，不与镀料反应; 4）耐热性好，热源变化时，功率密度变化较小; 5）经济耐用。 金属电阻蒸发源材料 金属蒸发源与镀料的反应 镀料熔化后，若有沿蒸发源扩展的倾向时，两者是浸润的。反之，是不浸润的。浸润时，为面蒸发源，蒸发状态稳定。不侵润时，为点蒸发源，若用丝式蒸发源时镀料易脱落。 各种形状的电阻蒸发源 2）蒸发舟 3）外热坩埚 二、电子束蒸发源 ●定义：将镀料放入水冷铜坩埚中，利用高能电子束轰击镀料，使其受热蒸发。 电子束加热的特点 1. 优点： 1）采用聚焦电子束，功率密度高，可蒸发高熔点 镀料（3000℃以上）如W，Mo，Ge，SiO2， Al2O3等。 2）采用水冷坩埚，可避免坩埚材料的蒸发，及 坩埚与镀料的反应，制得高纯度薄膜。 3）热量直接加在镀料上，热效率高，传导，辐射 的热损失少。 2. 缺点： 1）电子枪发出的一次电子和蒸发材料发出的二 次电子会使蒸发原子和残留气体电离，影响 膜层质量。 2）多数化合物在受到电子轰击时会部分分解。 3）设备结构复杂，昂贵。 4）当加速电压过高时产生软X射线会对人体有伤害。 3. 电子束蒸发源的结构 ●直枪 ● 偏转枪 e型枪优点 三、高频感应蒸发源 1. 原理 3. 缺点： 1）蒸发装置必须屏蔽，否则会对广播通讯产生影响。 2）线圈附近压强超过10-2Pa时，高频电场会使残余气体电离。 3）高频发生器昂贵。 四、激光蒸发 2. 激光器 CO2激光——连续激光 3. 脉冲激光 脉冲激光烧蚀（Pulsed Laser Ablation） 4. PLA成膜过程 (1) 激光与靶的作用过程 (2) 等离子体的定向局域等温绝热膨胀发射 (3) 在基板上沉积形成薄膜 5. PLA的主要特点 五、合金及化合物的蒸发 1 合金的蒸发 所以 式中WA、WB为重量比 上式说明当合金成分一定时，各组元的蒸发速率与 成正比。 例：1527℃时蒸发镍铬合金（Ni80%，Cr20%）。 PCr=10-1Torr PNi=10-2Torr ∴在蒸发初期，富铬，导致薄膜有良好附着力。 （1） 瞬时蒸发法 又称“闪蒸法”，将细小的合金颗粒，逐次送到非常炽热的蒸发器中，使颗粒在瞬间完全蒸发。 （2）双源或多源蒸发法 将合金的每一成分，分别装入各自的蒸发源中，然后独立地控制各蒸发源的蒸发速率，以控制薄膜的组成。 为了使膜厚均匀，通常需要旋转。 2 化合物的蒸发 化合物的蒸发方式有三种： （1）电阻加热法； （2）反应蒸发法； （3）双源或多源蒸发法→分子束外延。 反应蒸发法 原理： 将活性气体导入真空室，使之与被蒸发的金属原子，低价化合物分子在基板表面反应，形成所需化合物薄膜。 例：Al（蒸发）+O2（活性气体）→Al2O3 Sn（蒸发）+O2（活性气体）→SnO2 Si（蒸发）+C2H2（活性气体）→SiC 反应的位置： A）蒸发源表面，会降低蒸发速率，尽量避免 B）源与基片之间，由于气压为10-2Pa，λ=50cm反应的几率很小。 C）基片表面，气体的吸附时间比空间中气体 原子与蒸发原子碰撞的驰豫时间长得多。在 安装上将气体直接喷到基片表面。 3 特殊的蒸发法 （1）电弧蒸发法 特点 （2）热壁法 作业 ●关键点：如何控制成分 其中：GA、GB为蒸发速率； 为饱和蒸气压 A、B两组份蒸发速率之比为： 但 不知，假设合金中各成分的饱和蒸气压 服从拉乌尔定律 nA、nB：合金中A、B组分的摩尔数 PA，PB为各组分单质的饱和蒸气压 常用于合金中元素的蒸发速率相差很大的场合。 关键是选取粉末料的粒度，蒸发温度和进料的速率。 电阻加热的缺点： A）化合物的熔点较高，电阻加热温度不够。 B）许多化合物在高温下会分解，如Al2O3，TiO2等会失氧。 C) 有些化合物饱和蒸气压低，难于用电阻蒸发。 ： 在高真空下，将镀料做成两个棒状电极，通电使其发