单片机应用技术实例教程第10章 51单片机的AD和DA通道.pptVIP

第10章 51单片机的A/D和D/A通道 《单片机应用技术实例教程（C51版）》 --高等院校嵌入式人才培养规划教材 本章主要内容 10.1 51单片机的A/D采集通道基础 10.2 8位并行8通道A/D芯片ADC0809 10.3 51单片机的D/A输出通道基础 10.4 八位串行单通道D/A芯片MAX517 10.5 应用案例10.1-自动换挡电压表的实现 10.6 应用案例10.2-简易波形发生器的实现 10.7 本章总结 前一页 前一页 10.1 51单片机的A/D采集通道基础 10.1.1A/D变换的过程 10.1.2A/D变换的应用电路构成 10.1.3A/D变换的保持电路 10.1.4A/D芯片的分类 10.1.5A/D芯片的选择 10.1.6A/D芯片对电源的需求 首页 前一页 10.1.1A/D变换的过程 由于模拟信号在时间和量值上是连续的，而数字信号在时间和量值上都是离散的，因此在进行模数转换时，先要按照一定的时间间隔对模拟信号取样，使它变成时间上离散的信号。然后把取样值保持一段时间，在这段时间内，对取样值进行量化，使取样值变成离散的量值，最后通过编码，把量化后的离散值转换为数字量输出，这样即完成了一个模数转换过程，如下图所示。 采样 （具体内容详见教材） 2. 量化和编码 （具体内容详见教材） 前一页 10.1.2A/D变换的应用电路构成 一个完整的51单片机的A/D转换通道如下图所示，其由传感器、电压调理模块、A/D转换通道芯片所组成。 前一页 10.1.3A/D变换的保持电路 当模拟信号变化较快时，其取样值vs在脉冲变化器件会有明显的变化，如图10.3（c）中所示，vs的顶部不平，这样就不能得到一个固定的取样值进行量化，因此要利用下图的保持电路对vi进行保持。 在S(t)等于1的取样时间内，使场效应管导通，电容C被迅速充电，由于电容C的充电时间常数远远小于取样时间，因此电容C的电压在取样时间内能跟随输入信号vi变化，因此vo=vi；而在S(t)=0的保持时间内，场效应管关断，由于电压跟随其输入阻抗很高，存储在C中的电荷很难泄露，因此在保持时间内，电容C上的电压vo保持在取样时间结束时的vi瞬时值，如图10.3（d）所示的波形。波形中的几个幅值不等的“平台”即是在每次取样时间结束时，电容C保持的在该次取样结束时vi的瞬时值，这几个“平台”对应的瞬时值，才是后面要转换为数字量的取样值，最常用的信号保持芯片是LF198。 前一页 10.1.4A/D芯片的分类 A/D芯片按转换数据的输出方式可分为串行和并行两种，其中并行A/D芯片又可根据数据宽度分为8位、10位、12位、24位等；按转换原理可以分为逐次逼近型（SAR）和双积分型；按照同一块芯片上支持的同时输入的模拟信号数目可以分为同时支持多个模拟信号输入的多通道型和只支持单个模拟信号的输入单通道型。 并行A/D芯片需要占用较多数目的数据引脚，但是其输出速度快，在数据宽度比较低时有较高的性价比；串行A/D芯片占用的数据引脚少，与51单片机的接口简单，但是由于数据要逐位输出，所以数据输出速度通常不如并行通道的A/D芯片快。串行和并行A/D芯片各有优势，使用时候主要看具体应用系统的需求。 逐次逼近型的A/D芯片具有很快的转换速度，一般是纳秒（ns）或微秒（μs）级；而双积分型A/D芯片的转换速度要慢一些，一般为微秒（μs）或毫秒（ms）级，但是它具有转换精度高、廉价、抗干扰能力强等优点。 多通道输入的A/D芯片可以同时支持对多个模拟信号的转换，但是由于需要进行通道切换，其转换速度通常慢于单通道输入的A/D芯片。 前一页 10.1.5A/D芯片的选择 A/D芯片有以下几个重要的指标。 ●分辨率：一般用转换后数据的位数来表示，对于二进制输出型的A/D芯片来说，分辨率为8位是只能将模拟信号转换成0x00~0xFF数字量的芯片，也表明它可以对满量程的1/2~1/256的增量做出反应。 ●量化误差：将模拟量转换成数字量（即量化）过程中引起的误差。它理论上为单位数字量的一半，即1/2LSB。分辨率和量化误差是统一的，提高分辨率可以减少量化误差。 ●转换时间是只从启动转换到完成一次A/D转换所需要的时间。 ●转换量程：A/D芯片能够转换的电压范围，如0~5V，-10~+10V等。 ●通道数：同时能转换的模拟信号的数目。 常见的A/D芯片如下。 ●多通道类型：ADC0809、TLC2543。 ●单通道类型：ADC0801、ADS1100。 ●高精度类型：AD977A。 一般A/D芯片的引脚分为几类信号：模拟输入信号、数据输出信号、启动转换信号、转换结束信号和其他一些控制