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* * * * 如图8–6所示,单片机高8位地址线的最高3位P2.7(A15),P2.6(A14),P2.5(A13)分别与74LS138译码器的3个数据输入端C、B、A连接。74LS138译码器的 输出端通常分别与单片机扩展的外部存储器和其它各种接口部件的片选(使能)端连接, 74LS138译码器的 输出端对应的 译码输出的64KB地址空间范围分别为: :1FFFH~0000H (P2.7、P2.6、P2.5=000) :3FFFH~2000H (P2.7、P2.6、P2.5=001) :5FFFH~4000H (P2.7、P2.6、P2.5=010) :7FFFH~6000H (P2.7、P2.6、P2.5=011) :9FFFH~8000H (P2.7、P2.6、P2.5=100) :BFFFH~A000H (P2.7、P2.6、P2.5=101) :DFFFH~C000H (P2.7、P2.6、P2.5=110) :FFFFH~E000H (P2.7、P2.6、P2.5=111) 这里采用全地址译码方式。存储器的地址空间分配,实际上就是将单片机的地址总线与存储器芯片的地址引脚按一定规律连接,最终达到一个物理存储单元对应一个单元地址的要求。 * * 8.2 程序存储器的扩展及应用 程序存储器采用只读存储器,因为这种存储器在电源关断后,仍能保存程序(我们称此特性为非易失性),在系统上电后,CPU可取出这些指令重新执行。 只读存储器简称ROM(Read Only Memory)。ROM中的信息一旦写入,就不能随意更改,特别是不能在程序运行过程中写入新的内容,故称为只读存储器。 向ROM中写入信息称为ROM编程。根据编程方式不同,分为以下几种。 * (1) 掩模ROM。在制造过程中编程,是以掩模工艺实现的,因此称为掩模ROM。由于掩模工艺成本较高,因此只适合于大批量生产。 (2) 可编程ROM(PROM)。芯片出厂时没有任何程序信息,用独立的编程器写入。但PROM只能写一次,写入内容后,就不能再修改。 (3) EPROM。用紫外线擦除,电信号编程:编程器将调试完毕的程序写入。 * (4) E2PROM(EEPROM)。电信号编程,电信号擦除的ROM芯片。对E2PROM的读写操作与RAM存储器几乎没有什么差别,只是写入的速度慢一些,但断电后仍能保存信息。 (5) Flash ROM。 又称闪速存储器(简称闪存),是在EPROM、E2PROM的基础上发展起来的一种电擦除型只读存储器。特点是可快速在线修改其存储单元中的数据,改写次数可达1万次,其读写速度很快,存取时间可达70ns,成本比E2PROM低得多,大有取代E2PROM的趋势。 目前许多公司生产的8051内核的单片机,在芯片内部大多集成了数量不等的Flash ROM。 * 8.2.1 常用EPROM芯片介绍 EPROM的典型芯片是是INTEL公司的27系列产品,例如,2764(8KB)、27128(16KB)、27256(32KB)、27512(64KB)。型号 “27”后面的数字表示其位存储容量。如果换算成字节容量,只需将该数字除以8即可。 例如,“27128”中的“27”后的数字 “128”,128/8?=16KB 随着大规模集成电路技术的发展,大容量存储器芯片产量剧增,售价不断下降,性价比明显增高,且由于小容量芯片停止生产,使市场某些小容量芯片价格反而比大容量芯片还贵。所以,应尽量采用大容量芯片。它们的引脚功能基本类似,均向下兼容。 * * * 图8-7 常用的EPROM芯片引脚图 * 27系列EPROM芯片的引脚如图8-7。芯片引脚功能: A0~A15:地址线引脚。它的数目由芯片的存储容量决定,用于进行单元选择。 D7~D0:数据线引脚。 :片选控制端。 :输出允许控制端(读)。 :编程时,编程脉冲的输入端。 VPP:编程时,编程电压(+12V或+25V)输入端。 VCC:+5V,芯片的工作电压。 GND :数字地。 NC:无用端。 * * 8.2.2 EPROM芯片的工作方式 5种工作方式,由 、 、 信号的组合确定。5种工作方式如表8-2。 表8–2中,×表示为任意状态,可以是“0”,也可以是“1” 重点掌握
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