《微电子器件》第三版习题讲解.pptVIP

59、 .. * 部 分 习 题 解 答 部分物理常数： .. * 第 2 章 1 、在 N 区耗尽区中，高斯定理为： 取一个圆柱形体积，底面在 PN 结的冶金结面（即原点）处，面积为一个单位面积，顶面位于 x 处。则由高斯定理可得： 当 x = xn 时，E(x) = 0，因此 ，于是得： （2-5a） .. * 3 、 .. * 4 、 .. * 6 、 ND2 ND1 .. * .. * 8、(1) .. * .. * (2) .. * .. * 20、 .. * 24、 PN 结的正向扩散电流为 式中的 I0 因含 ni2 而与温度关系密切，因此正向扩散电流可表为 于是 PN 结正向扩散电流的温度系数与相对温度系数分别为 .. * 31、 当 N- 区足够长时，开始发生雪崩击穿的耗尽区宽度为： 当 N- 区缩短到 W = 3?m 时，雪崩击穿电压成为： .. * 34、 .. * 39、 .. * 第 3 章 1、NPN 缓变基区晶体管在平衡时的能带图 NPN 缓变基区晶体