2.1.1 电阻 一个实际的电阻器,在低频时主要表现为电阻特性。电阻是导体由欧姆定律所决定的电学参数,表示了电流与电压的关系: U=RI (2-1) 对于工程中的电阻元件,在高频使用时不仅表现有电阻特性的一面,还表现有电抗特性的一面。电阻器的电抗特性反映的就是其高频特性。一个电阻R的高频等效电路如图2.1 所示。其中,CR为分布电容,LR为引线电感,R为电阻。由于容抗为1/(ωC),感抗为ωL,其中ω=2πf为角频率,可知容抗与频率成反比,感抗与频率成正比。 分布电容和引线电感越小,表明电阻的高频特性越好。电阻器的高频特性与制作电阻的材料、 电阻的封装形式和尺寸大小有密切关系。一般说来,金属膜电阻比碳膜电阻的高频特性要好,而碳膜电阻比线绕电阻的高频特性要好,表面贴装(SMD)电阻比引线电阻的高频特性要好,小尺寸的电阻比大尺寸的电阻的高频特性要好。 其中,电感 L为分布电感或(和)极间电感,小容量电容器的引线电感也是其重要组成部分。引线导体损耗用一个串联的等效电阻R1表示,介质损耗用一个并联的电阻R2表示,同样得到一个典型电容器的阻抗与频率的关系,如图 2.4所示。由于存在介质损耗和有限长的引线,电容显示出与电阻同样的谐振特性。每个电容器都有一个自身谐振频率。当工作频率小于自身谐振频率时,电容器呈正常的电容特性; 但当工作频率大于自身谐振频率时,电容器的阻抗随频率的升高而增大,这时电容器呈现出感抗特性。 2.1.3 电感 电感通常由导线在圆柱导体上绕制而成,因此电感除了考虑本身的感性特征外,还需要考虑导线的电阻以及相邻线圈之间的分布电容。高频电感的等效电路模型如图2.5所示,寄生旁路电容C和串联电阻R分别是考虑到分布电容和导线电阻的综合效应而加的。与电阻和电容相同,电感的高频特性同样与理想电感的预期特性不同,如图2.6所示。首先,当频率接近谐振点时,高频电感的阻抗迅速提高; 然后,当频率继续提高时,寄生电容C的影响成为主要的因素,线圈阻抗逐渐降低。 电阻在低频时阻值恒定,在高频时显示出谐振的二阶系统响应。电容在低频时电容值与频率成反比,在高频时电容中的电介质产生了损耗,显示出电容的阻抗特性。电感在低频时阻抗响应随频率的增加而线性增加,在高频时显示出电容特性。这些无源器件在高频的特性都可以通过前面提到的品质因数描述。 对于电容和电感来说,为了达到调谐的目的,通常希望得到尽可能高的品质因数。 2.2.1 二极管 在高频电路中二极管主要用于调制、 检波、 解调、 混频及锁相环等非线性变换电路。 工作在不同的状态,二极管中的电容产生的影响效果也不同。二极管的电容效应在高频电路中不能忽略。要正确使用二极管,可参考半导体器件手册中给出的不同型号二极管的参数。 1. 二极管的电容效应 二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。二极管呈现出的总电容Cj相当于两者的并联,即Cj=CB+CD。 当二极管工作在高频时,其PN结电容(包括扩散电容和势垒电容)不能忽略。当频率高到某一程度时,电容的容抗小到使PN结短路, 导致二极管失去单向导电性,不能工作。 PN结面积越大,电容也越大,越不能在高频情况下工作。 二极管是一个非线性器件,而对非线性电路的分析和计算是比较复杂的。为了使电路的分析简化,可以用线性元件组成的电路来模拟二极管。考虑到二极管的电阻和门限电压的影响,实际二极管可用图2.7所示的电路来等效。在二极管两端加直流偏置电压和二极管工作在交流小信号的条件下,可以用简化的电路来等效,如图2.7(b)所示。图中,rs为二极管P区和N区的体电阻,rj为二极管PN 结结电阻。 例1 二极管PN结分布参数特性分析。 解 在PSpice中选择一个二极管,并连接成图2.8所示的电路。 仿真时把信号源的输入偏置电压设置成1 V(高于二极管结压降),选择幅度为1 V的方波,仿真结果如图2.9所示。可以看到,输入的方波电压在输出端发生了变化,形成了上升阶段和下降阶段的过脉冲,以及其后的放电效应,这说明二极管的PN结存在电容,而这个电容在低频阶段(方波的平坦区域)没有起作用。 观察二极管的频率响应特性,如图2.10所示。 图2.10说明,二极管中确实存在电容。 (1) 当输入信号的频率低于10 MHz时,输入和输出电压相差一个二极管的结压降(输出电压低于输入电压)。 (2) 输入信号的频率超过10 MHz后,二极管压降开始减小。 (3) 当频率高到一定程度后(如10 MHz),就会出现完全导通、 没有结压降
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