第四章-半导体的导电性.pptVIP

* 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 本征半导体： n型半导体： p型半导体： 将迁移率的式子代入电导率描述式，得到同时含有两种载流子的混合型半导体的电导率： （4-37） （4-38） （4-39） * 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 设硅的等能面分布及外加电场方向如图所示。电子有效质量分别为mt和ml。不同极值的能谷中的电子，沿x，y，z方向的迁移率是不同。 对等能面为旋转椭球面的多极值半导体，沿晶体的不同方向有效质量不同，所以迁移率与有效质量的关系较为复杂。 下面以硅为例说明。 * 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 推导电导有效质量示意图 对[100] 能谷中的电子，沿x方向的迁移率为： μ1 =qτn／ml 其余能谷中的电子，沿x方向的迁移率为： μ2 =μ3 =qτn／mt （4-40） （4-41） * 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 如令 （4-42） （4-43） 比较以上两式，得： 设电子浓度为n，每个能谷单位体积中有n/6个电子，电流密度Jx为： ---电导迁移率 （4-44） * 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 把电导迁移率仍写为如下形式： 将?1, ?2, ?3代入得到： （4-45） 称mc为电导有效质量。 对硅， （4-46） * 4.3.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 电离杂质散射： 声学波散射： 因为迁移率与平均自由时间成正比，而平均自由时间又是散射几率的倒数，根据各散射机构的散射几率与温度的关系,可以获得不同散射机构的平均自由时间与温度的关系： Ni 为电离杂质浓度。 光学波散射： 忽略缓变函数f中的温度影响 * 声学波散射： 电离杂质散射： 光学波散射： （4-47） （4-48） 可得迁移率与杂质浓度及温度的关系为： 由 （4-49） 4.3.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 * 总平均自由时间： 迁移率： （4-50） 若几种散射同时起作用时，则总的散射概率应该是各种散射概率的总和，即： （4-51） （4-52） 4.3.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 * 多种散射机构同时存在时，与每种散射单独存在时比起来，平均自由时间变得更短了，且趋向于最短的那个平均自由时间；迁移率也更少了，且趋向于最少的那个迁移率．在实际情况中，应找到起主要作用的散射机构，迁移率主要由它决定。 结论 4.3.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 * 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 由式（4-52），总的迁移率可表示为： 下面以掺杂Si、Ge半导体为例，定性分析迁移率随杂质浓度和温度的变化情况．在这种半导体中，通常起主要作用的散射机构是声学波散射和电离杂质散射。 （4-54） 由式（4-47）和式（4-48）得： （4-53） * 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 对Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，如GaAs，光学波散射不可忽略，总的迁移率表示为： 在室温下，杂质全部电离，因此杂质浓度越高，杂质散射越强，迁移率减小。如图4-13所示。 讨论 * 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 * 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 当杂质浓度较低时(小于1017cm3)，主要散射机构为声学波，电离杂质散射可忽略，所以温度升高，迁移率迅速减小。如图4-14所示。 当杂质浓度较高时(大于1019cm3)，低温区，电离散射为主，因此温度升高 ，迁移率有所上升。高温区，声学波散射作用变显著，迁移率随温度升高而下降。 总之,在低温、高掺杂以电离杂质散射为主；在高温、低掺杂以晶格散射为主。 * 4.3.2 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 图4-14 电子及空穴迁移率随温度和杂质浓度的变化关系 * 材料 电子迁移率（cm2/(V.s)） 电子迁移率（cm2/(V.s)） 锗 3800 1800 硅 1450 500 砷化镓 8000 400 300K时较纯半导体的迁移率 * 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 * 4.4.1 电阻率表示式 混合型半导体： 本征半导体： n型半导体： p型半导体： 由 知，电导率是杂质浓度和温度的函数。 可得不同类型半导体的电阻率表示式： 由关系式 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 * 对于杂质补偿的材料，在杂质饱和电离温度下： 若 （4-63） 若 （4-64） 4.4.2 电阻率和杂质浓度的关系 只掺n型杂质： 只掺p型杂质： * 例题：求室温下本征硅的电阻率。设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/(V·s)和500cm2/(V·s)若在本征硅中掺入百万分之一的硼，电阻率是本征硅多少倍？ 解： 室温本征硅的载流子浓度、电子和空穴的迁移