信息材料 chapter 21 一～九 electronic information materials.ppt

图4.25 铁电体的电滞曲线 铁电体的电滞曲线 从图4.25可以看出，在强电场作用下，铁电晶体的极化强度会达到饱和值PS。这时，再增加电场强度，极化强度则不再改变。反过来，当电场强度降低为0时，由于固有偶极极化，则极化强度P并不能回到0，而是保持在一个确定值PR,称作剩余极化。如果要使其极化为0，则必须加一个强度为EC的反电场。 由于这种极化曲线与铁磁体的磁滞曲线相似，故称这种材料为铁电晶体。利用这种特性，可以对合成的铁电陶瓷在一定条件下（给定温度和时间），用强直流电场进行处理，使之在沿电场方向显示一定的净极化强度。这一过程称作前呈极化或者人工极化。处理后的压电材料由各向同性变为各向异性，并因此具有压电效应。 一般说来，铁电材料有几个特点：一是具有电畴结构，自发极化的电偶极方向排列一致，形成小区域。但由于这些许许多多的小区域取向杂乱无章，没有净的极化强度。当外加电场作用后，这些电畴取向趋向一致；存在一个自发极化的确定温度，称作居里温度TC，在TC温度以上时才出现自发极化，低于此温度时则消失铁电性。该温度又称作铁电转变温度；第三，人工极化的附加电场强度EC称作矫正顽场。 图4.25 铁电体的电滞曲线 8. 电型压电材料介绍 首先开发的商品化压电陶瓷材料是钛酸钡，其后又开发出具有钙钛矿结构的固溶体铁电材料Pb(Ti,Zr)O3(PZT)。我们这里主要介绍钛酸钡系列压电材料。 图2.20和图2.21中，我们已介绍了纯钛醇钛酸钡的晶胞结构以及具有三方、正交和四方晶系的结构。这几种多晶形式的转变温度如下： ~120℃的相变点称作居里点。 温度在居里点以上时，构成立方晶体，失去铁电性。 温度在120~0℃之间，属于立方晶体在某方向伸缩，构成的四方晶体； 温度在0~90℃之间，是将立方晶体沿面对角线方向伸缩，构成的斜方晶体； 温度在-90℃以下，是将立方晶体沿体对角线方向伸缩，构成的三方晶体。所以，在120℃以下时，由于晶胞形变，产生了与晶胞伸缩方向平行的自发极化（PS），表现出铁电性。 自发极化在外电场作用下反转的必要最小电场及矫正顽场EC、介电常数以及晶胞参数随温度的变化关系如图4.25所示。 钛酸钡的介电常数是各向异性的，极化陶瓷的压电性在温度超过居里点以上时，则需要重新极化。可见钛酸钡的使用温度不能超过80℃，而在室温下材料的一些物理常数又变化较大，所以在非恒温下使用纯钛酸钡是不合适的。 掺杂技术 由于纯的钛酸钡有居里点低、非恒温使用不宜的缺点，人们发展了一系列改性的钛酸钡材料。首先采用离子置换法或添加杂质，能改善钛酸钡的其特性，有其某些置换离子能使其第一居里点升高、第二居里点降低，大大扩展了其使用温度范围。图4.26给出了某系掺杂离子含量与掺杂钛酸钡居里点的关系。 图4.26某系掺杂离子含量与掺杂钛酸钡居里点的关系 通过置换掺杂还发展了一系列多元压电陶瓷材料，主要代表类项如下： （1）二元陶瓷 纯的Pb(Ti,Zr)O3(PZT)和掺杂的钛酸钡固溶体。 （2）三元陶瓷 Pb(BⅡ1/3Nb2/3)O3(BⅡ=Mg、Co、Zn、Cd、Mn、Ni)； Pb(BⅢ1/2Nb1/2)O3(BⅢ=Sb、Y)； Pb(BⅡ1/2W1/2)O3(BⅡ= Mg、Co、Cd ) Pb(BⅡ1/2Te1/2)O3(BⅡ= Mg、Ni、Co、Mn)； Pb(BⅡ1/3Nb2/3)O3(BⅡ= Mn、Ni) Pb(BⅢ1/2BⅤ1/2)O3(BⅡ= Fe、Cr; BⅤ=Nb、Ta)； (Pb1-xLax)(ZryTiz)1-x/4O3(PLZT) * P‘O2 电磁干扰屏蔽用塑料可以通过添加碳纤维和不锈钢纤维等高比表面的导电填料来得到。屏蔽是通过导电媒介将电磁辐射反射、吸收或传导到地面来实现的。引入屏蔽物后会导致电磁信号的衰减，它的衰减程度决定了屏蔽效果的好坏。为了获得好的屏蔽效果，塑料中添加的填料要有良好的分散性和较高的添加量。 金属涂敷的填料，例如镀镍纤维或不锈钢纤维，广泛应用于电磁干扰屏蔽塑料中。为了有效屏蔽电磁波，所使用的填料应该能从塑料基体中反射电磁辐射。在这些应用中，选择长碳纤维能在聚合物基体中形成有效的网络，相对于短纤维来说是一个更好的选择。 添加不同碳纤维的PC的屏蔽效率。添加短碳纤维的塑料粒子纤维定向杂乱，而添加长纤维的粒子在整个长度纤维定向良好。 复合型EMI材料 电磁屏蔽薄膜主要是靠具有导电性能的材料（Ag，ITO氧化铟锡等）制成的薄膜，可以镀在玻璃上，或是在其它的基板上，如塑料薄膜上，材