课件：n结击穿.ppt

LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO 可编辑 LOGO 可编辑 PN结击穿 什么是pn结击穿？ 当对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。 此时的反向偏压称为pn结的击穿电压。 电流增大的原因： 是载流子数目的增加， 而不是迁移率的增大。 Contents 6.41 雪崩击穿 1 6.42 隧道击穿 2 6.43 热电击穿 3 Contents 6.41 雪崩击穿 1 倍增效应 当反向偏压很大时，势垒区中的电场很强，在势垒区内的电子和空穴由于受到强电场的漂移作用，具有很大的动能，它们与势垒区内的晶格原子发生碰撞时，能把价键上得电子碰撞出来，成为导电电子，同时产生一个空穴。这些新产生的电子-空穴对再从电场中获得动能，进一步产生电子-空穴对。 如此继续下去，载流子就大量增加。 雪崩击穿的特点： 1.空间电荷区的xD要有一定宽度；如果空间电荷区太窄（小于一个平均自由程），既使是载流子的能量再高，电离能力再强，载流子在势垒区加速达不到产生雪崩倍增效应所必须得动能，就不能产生雪崩击穿。 2.雪崩击穿电压较高，击穿曲线比较陡直（硬击穿）；一般Ge、Si 器件，雪崩击穿电压在6Eg/q 以上，而且击穿特性较硬（所谓硬击穿）。 Contents 6.42 隧道击穿 2 原理：在反偏电压下，P区价带顶附近电子能量可以升高到超过N区导带顶电子的能量，此时，若是电场较强，空间电荷区宽度（隧道长度）较短，则电子的隧穿几率就大增加，使得P区价带电子直接穿过禁带而达到N区导带底，形成很大的反向电流。隧道概率是： THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 隧道击穿的特点： 一般在重掺杂，反向偏压也不高的情况下隧道击穿是主要的，实验表明，对于重掺杂的锗，硅pn结，当击穿电压 时，一般为隧道击穿，当 时，一般为雪崩击穿；若在二者之间，则为两种击穿都存在。 Contents 6.43 热电击穿 3 原理：当pn结施加反向电压时，流过pn结的反向电流要引起热损耗。反向电压逐渐增大时，对应于一定的反向电流所损耗的功率也增大，这将产生大量的热能。如果没有良好的散热条件使这些热能及时传递出去，则将引起结温上升，随着结温的上升，反向饱和电流增大，如此反复循环下去，最后使反向饱和电流无限增大而发生击穿。这种由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿。 6.5 PN结隧道效应 1.现象 当pn 结的P 区和N 区的掺杂浓度都很高时(1019cm-3~1020cm-3)， 其I-V 特性如图所示： 在Vp~Vn这段电压范围内， 随着电压的增大电流反而减小 的现象称为负阻，这段的斜率 是负的，这一特性称为负阻特性。 反向时，反向电流随反向偏压的增大 而迅速增加，有重掺杂的p区和n区形成 的pn结通常称为隧道结。与隧道效应有关。 2、原理 当P 区、N 区都是重掺杂的，费米能级分别进入了N 区的导带和P 区的价带。同时，势垒区较窄，电场较强；这就有利于发生隧穿，当加上外偏压时，两边出现一侧有电子而另一侧相同能态上有空位的状态，这时就发生隧道效应 由于隧道二极管是利用多子工作的，结的两侧不会有少子积累，而且隧道效应是一量子跃迁过程，电子穿过势垒极其迅速，不受渡越时间跟制，因而隧道二极管可以在极高频率下工作。 THANK YOU SUCCESS * * 可编辑 LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO LOGO 可编辑 LOGO 可编辑