PN结特性和二极管.pptVIP

电气与信息学院 模拟电子技术——二极管及其基本电路 电子学教研室 PN 结(PN Junction)的形成 原因： 载流子的浓度差 名称：空间电荷区/耗尽层/PN结 特点: 无载流子 P N 3.2.3 PN结的特性 1. 外加正向电压(正向偏置) — forward bias P 区 N 区 内电场 + ? U R 外电场 外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。 IF 限流电阻 扩散运动加强形成正向电流 IF 。 IF = I多子 ? I少子 ? I多子 3.2.3 PN结的特性 2. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias P 区 N 区 内电场 外电场 IR 漂移运动加强形成反向电流 IR IR = I少子 ? 0 ? + U R PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。 3. PN结V- I 特性表达式 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区 电压 IS iD = 0 Ut