四元铁磁半导体(Ga2cMn)(As2cSb)的磁输运与各向异性分析.pdfVIP

摘 要 摘 要 本文主要研究了四元铁磁半导体(Ga，Mn)(As，Sb)薄膜的生长制备、磁输运和磁 各向异性等方面。 首先，利用低温分子束外延(LT-MBE)技术制备得到不同Sb含量的高晶体 测量给出了退火组和未退火组的(Ga，Mn)(As，Sb)薄膜的磁滞回线，证明了四元铁 与温度丁关系曲线给出了样品的铁磁转变温度Tc，xeff和死随Sb含量。的变化曲 线表明Xeff和瓦具有相同的变化趋势，都是先增大后减小。这与我们早期的研究 添加了交叉项之后使得磁阻方程的拟合曲线和实验曲线很好的拟合，说明相对于 (Ga，Mn)As晶体的对称性，使得各向异性系数发生了变化，并随着Sb并入的增 加，(Ga，Mn)(As，Sb)的各向异性系数趋近于0，各向异性特征逐渐消失。 关键词：稀磁半导体；四元合金；分子束外延；各向异性磁电阻；磁各向异性 万方数据 Abstract Abstract Inthis