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- 2019-08-07 发布于江苏
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二输入与非门的直流电压传输特性 n输入与非门的直流电压传输特性 类NMOS电路 单个负载管代替了PUN网络,在大扇入负载门电路中有吸引力 一个有N个输入的门只需N+1个晶体管,可使面积减小,寄生电容减少。 由于每个输入只接一个晶体管,这对前级门来说负载很小。 但是代价是静态功耗。 类NMOS门在对速度要求高,或大部分输出都为高的电路中很有用。 类NMOS电路 (伪NMOS电路) 和互补CMOS类似 减少了晶体管数目,减少了面积和负载,但存在静态功耗!!! 等效负载电阻 上升、下降时间非对称 存在静态功耗 设计时的注意点: 类NMOS电路 为了减少静态功耗,流过负载管的电流IL应当低 为了得到合理的NML,VOL=ILRPDN应当低 为了减小 IL应当高 为了减小 RPDN应当低 驱动管和负载管的比例要求 1、2、3有矛盾,即越快的门意味着越大的静态功耗和越小的噪声容限。 自适应负载的类NMOS电路 等待时大pMOS M1不通,省功耗 工作时大pMOS M1导通,提速度 C ? (A + B) X C A B A B C X VDD GND VDD GND Single-Line-of-Diffusion Layout Diffu
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