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第9章 半导体存储器 半导体存储器（简称存储器）是存储大量二进制数据的逻辑部件。它是数字系统，特别是计算机，不可缺少的组成部分。 存储器的容量越大，计算机的处理能力越强，工作速度越快。因此，存储器采用先进的大规模集成电路技术制造，尽可能地提高存储器的容量。 第9章 半导体存储器 9.1 半导体存储器基础 9.2 随机存取存储器（RAM） 9.3 只读存储器（ROM） 9.4 闪存（Flash Memories） 9.5 存储器容量的扩展 9.1 半导体存储器基础 每个存储单元的位置由行序号和列序号唯一确定。每个字的行序号称为它的地址，用二进制码表示（An-1…A1A0）；列序号表示二进制位在每个字中的位置。 在复杂的数字系统（例如数字计算机）中，多个功能电路间利用一组公共的信号线（导线或其他传导介质）实现互连，并分时传输信息，这样的一组信号线称为总线。 2.半导体存储器的分类 按寻址方式，存储器分为顺序寻址存储器和随机寻址存储器。 当Yj=0时，T7和T8截止，基本RS触发器同样不能与读/写电路相连，其状态保持不变，存储单元同样未被选中。 2.基本SRAM的结构 OE是输出使能，低电平有效；片选信号为： 低电平有效；存储容量：8kB=8k×8bit=65536bit 3. SRAM的操作定时 4. 同步SRAM和异步SRAM 9.2.2 动态随机存取存储器（DRAM） 2.基本DRAM的结构 3. 基本DRAM的读写周期 4. DRAM的类型 除前述的基本DRAM外， 为了提高DRAM的访问速度，出现了快速页模式DRAM(FPM DRAM—Fast Page Mode DRAM)、 扩展数据输出DRAM (EDO DRAM--Extended Data Output DRAM)、 爆发式扩展数据输出DRAM(BEDO DRAM--Burst Extended Data Output DRAM)和 同步DRAM (SDRAM--Synchronous DRAM)。 9.3 只读存储器（ROM） ROM： 工作时只能快速地读取已存储的数据、而不能快速地随时写入新数据。 优点：最突出的特征是掉电后数据不丢失，用于存储数字系统中固定不变的数据和程序 。 9.3.1 掩模只读存储器(Mask ROM) 2．掩模只读存储器的结构 9.3.2 可编程只读存储器（PROM） 掩模ROM的存储数据由制造商在生产过程中写入，对系统设计者开发新产品很不方便。因此，出现了由用户写入数据的可编程ROM（PROM） 可编程ROM分为可改写一次的PROM（沿用PROM的名称）和可反复改写的EPROM(Erasable Programmable ROM) 用紫外光擦除的EPROM记为UV EPROM(Ultraviolet EPROM，常简记为EPROM)，用电方法擦除的EPROM记为EEPROM或E2PROM(Electrical EPROM) 1．PROM的存储单元 2．UV EPROM的存储单元 可多次编程的EPROM必须采用可修复的元件。 UV EPROM使用的可修复的元件是有两个栅极的叠栅雪崩注入MOS管(SIMOS）。 3．E2PROM的存储单元 E2PROM也是利用隧道MOS管的浮栅上是否有负电荷来存储二值数据的 。 隧道MOS管：与SIMOS管的区别是漏区与浮栅之间有一个极薄的SiO2交叠区，厚度约80（埃）。 3．E2PROM的存储单元 E2PROM的存储单元：隧道MOS管与普通MOS管串联。 浮栅上无电荷时，隧道MOS管导通，等效为存储单元有元件，存储1； 浮栅上有电荷时，隧道MOS管截至，等效为存储单元无元件，存储0。 9.4 闪存（Flash Memories） 闪存亦是利用浮栅上有无负电荷存储二值数据的，存储器结构也和ROM相同，因此，传统上归类于ROM。 但是，闪存具有较强的在系统读写入能力（工作时能读写），其优势是传统ROM不可比的。 闪存的出现使计算机的软盘寿终正寝，大有取代硬盘之势。此外，闪存在掌上电脑、手机、数字照相机等消费电子设备中应用广泛。 2.闪存的特点和应用 理想的存储器具有大容量、非易失、在系统读写能力、较高的操作速度和低成本等特点。 ROM、PROM、UV EPROM、EEPROM、SRAM和DRAM，在前述的某些方面各具有一定优势。 只有闪存综合具有理想存储器的特点，只是在写入速度方面比SRAM和DRAM差。 9.5 存储器容量的扩展 存储器有3类总线：数据总线、地址总线和控制总线。 对于不同的存储器，数据总线和地址总线功能相同，但控制总线约有不同。 例如，RAM通过读写信号（ ）控制存储器的读/写，