第四章 光源和光发射机.pptVIP

在不同注入电流下的横模远场特性 4.激光器的调制特性 计算出的半导体激光器对500 ps方波电流脉冲的大信号调制响应 频率啁啾 实线表示发射的光脉冲形状 电光延迟和张弛振荡（严重限制系统传输速率和通信质量） 解决方法：对激光器加直流预偏置 电光延迟 张弛振荡 码型效应 限制调制速率 半导体发光二极管LED 没有光学谐振腔 无阈值器件 项目 激光器（LD） 发光二极管（LED） 调制频带 ≤数GHz ≤数百Hz 光输出功率 ≤数十mW ≤数mW 耦合效率 大 小 频谱宽度 窄(数十埃) 宽(数百～数千埃) 线性 差 较好 受温度影响 大 小 发散角 小 大 发光原理 受激辐射 自发辐射 适用系统 中远距离、大容量 中近距离、中小容量 随着技术的进步，对激光器提出更高的要求： 谱线宽度更窄，并在高速率脉冲调制下保持动态单纵模特性； 发射波长更加稳定，并能实现调谐； 阈值电流更低，而输出光功率更大。 新型半导体激光器类型 量子阱激光器（QW-LD） 分布反馈激光器（DFB-LD） 分布布拉格反射激光器（DBR-LD） 耦合腔半导体激光器 垂直腔表面发射激光器（VCSEL-LD） QW(Quantum Well)-LD d典型值10nm（一般FP LD有源层的厚度在0.1-0.3微米）。 对载流子的限制---对电子和空穴允许占据能量状态的限制 MQW-LD SLM-LD与F-P L