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集成电路工艺和版图设计概述Jian FangIC Design Center, UESTC * IC常用术语 园片：硅片 芯片(Chip, Die)： 6?、8 ?：硅（园）片直径：1 ?＝25.4mm 6??150mm; 8??200mm; 12??300mm; 亚微米1?m的设计规范 深亚微米=0.5 ?m的设计规范 0.5 ?m 、 0.35 ?m －设计规范（最小特征尺寸） 布线层数：金属（掺杂多晶硅）连线的层数。 集成度：每个芯片上集成的晶体管数 IC工艺常用术语 净化级别：Class 1, Class 10, Class 10,000 每立方米空气中含灰尘的个数 去离子水 氧化 扩散 注入 光刻 ……………. 集成电路（Integrated Circuit, IC）：半导体IC，膜IC，混合IC 半导体IC：指用半导体工艺把电路中的有源器件、无源元件及互联布线等以相互不可分离的状态制作在半导体上，最后封装在一个管壳内，构成一个完整的、具有特定功能的电路。 半导体IC 双极IC MOSIC BiCMOS PMOS IC CMOS IC NMOS IC MOS IC及工艺 MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor . — 金属氧化物半导体场效应晶体管 Si 金属 氧化物（绝缘层、SiO2） 半导体 MOS(MIS)结构 P－衬底 n+ n+ 漏 源 栅 栅氧化层 氧化层 沟道 G D S VT VGS ID VDS 0 反型层 沟道 源（Source）S 漏（Drain）D 栅（Gate）G 栅氧化层厚度： 50埃－1000埃（5nm－100nm） VT－阈值电压 电压控制 N沟MOS（NMOS） P型衬底，受主杂质； 栅上加正电压，表面吸引电子，反型，电子通道； 漏加正电压，电子从源区经N沟道到达漏区，器件开通。 N－衬底 p+ p+ 漏 源 栅 栅氧化层 场氧化层 沟道 P沟MOS（PMOS） G D S VT VGS ID + - VDS 0 N型衬底，施主杂质，电子导电； 栅上加负电压，表面吸引空穴，反型，空穴通道； 漏加负电压，空穴从源区经P沟道到达漏区，器件开通。 CMOS CMOS：Complementary Symmetry Metal Oxide Semiconductor 互补对称金属氧化物半导体－特点：低功耗 VSS VDD Vo Vi CMOS倒相器 PMOS NMOS I/O I/O VDD VSS C C CMOS传输门 N-Si P+ P+ n+ n+ P-阱 D D Vo VG VSS S S VDD CMOS倒相器截面图 CMOS倒相器版图 pwell active poly N+ implant P+ implant omicontact metal A NMOS Example pwell Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal N－type Si SiO2 光刻胶 光 MASK Pwell N－type Si SiO2 光刻胶 光刻胶 MASK Pwell N－type Si SiO2 光刻胶 光刻胶 SiO2 N－type Si SiO2 SiO2 Pwell pwell active Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal N－type Si SiO2 Pwell SiO2 光刻胶 MASK active MASK Active Si3N4 N－type Si SiO2 Pwell SiO2 光刻胶 光刻胶 MASK active MASK Active Si3N4 N－type Si SiO2 Pwell SiO2 光刻胶 光刻胶 Si3N4 N－type Si SiO2 Pwell SiO2 场氧 场氧 场氧 Pwell Si3N4 N－type Si SiO2 Pwell 场氧 场氧 场氧 Pwell N－type Si SiO2 Pwell SiO2 场氧 场氧 场氧 Pwell poly active pwell poly Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal N－type Si SiO2 Pwell SiO2 MASK poly 场氧 场氧 场氧 Pwell