Ge+MOS界面调控与器件工艺集成分析.pdfVIP

摘要 摘要 随着CMOS技术按照摩尔定律不断发展，Si基MOS器件己接近其物理极 限从而不能满足器件尺寸进一步缩小的要求。锗(Ge)与III．V族半导体等其他高 迁移率材料成为取代Si制备下一代高性能MOS器件备受瞩目的材料。将高性能 时代”获得高性能CMOS器件的重要途径之一。获得高质量的hi曲．k栅介质／Ge 界面、实现Ge．MOS在Si衬底上的工艺集成是提高Ge．MOS器件性能，获得下 一代高性能CMOS器件的关键。本文主要从Ge．MOS界面调控、Hi曲．k栅介质 质量的优化、Ge基MOS器件的制作工艺与特性分析以及Ge基MOS器件在Si 衬底上的工艺集成进行了深入的分析研究。本文的主要研究内容如下： 首先，提出了利用A1203介质阻挡层+ALD原位臭氧氧化工艺(SOO)，实现 了在低温条件下制备高质量的GeO。界面钝化层。该研究通过在臭氧氧化形成 GeO。界面钝化层之前，先沉积超薄A1203介质层阻挡层的工艺方法，有效地控 制GeO。氧化生长速率，同时，避免后续hi曲．k栅介质沉积中对生成GeO。界面 层的破坏。从而，在整个工艺温度不超过400。C的条件下(GeOx界面层制备完成 此外，基于ALD原