KrF化学增幅光刻胶在90nm逻辑工艺上的性能评价与优化的工艺条件.pdfVIP

摘 要 集成电路一直遵循着摩尔定律向前发展，特征尺寸也不断地缩小。目前，对 300唧的芯片生产厂商而言，主流技术为90到45nm。在整个集成电路的发展 中，光刻技术的发展是其驱动力。光刻在集成电路制造中处于非常重要的位置， 是极其昂贵和复杂的关键步骤，占总制造成本的1／3以上，尤其是在技术向着 90nm，65nm，45nm以及32nIII的发展，光刻成本还将不断地提高。对于大多数的 生产厂商，如何利用现有资源进行开发和生产，降低其运营成本，获得最大的效 益是非常重要的。本文将进行利用KrF光刻技术进行90nm技术应用的研究，一 方面可以为200舳芯片生产厂商新工艺的研发提供帮助，减小其研发的生产成本 和时间成本，另一方面可以为300砌的生产厂商将现有的90nm的平台由ArF光 刻转为KrF光刻提供参考，从而降低其生产成本，获得更大的效益。 KrF化学增幅光刻胶本身是为110nm以上的图形的光刻而研发的，对于110砌 以下，其相关特性还需要做确认。所以本文将从KrF光刻胶的主要特性入手，影 响光刻胶性能的主要因素有：显影性能，反应阈值能量，光酸扩散，抗刻蚀性能 等等，其中与线条的均匀性有关的主要是光酸扩散，所以本文将主要研究KrF 光刻胶的光酸扩散特性，其扩散方式