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Finer Pitch : Small Consistent Pressed Ball Low Loop Capability Short Heat Affected Zone High Neck Strength : Fine Grain Structure Conventional wire for high loop short loop span Long Loop Capability High tensile strength Soft Wire 金线形状 键合工艺控制 ①.金球压着径 ②.金球压着厚度 ③.金线高度 ④.金线拉断强度 ⑤.金球剥离强度 ⑥.键合外观 键合主要不良项目 A B C D E PAD LEAD ①.A/B/C/D/E不良：金线分别在A、B、 C、D、E点断开 ②.金线形状：金线间、金线与lead间， 金线与芯片之间的距离。 ③.键合布线：必须与组装图一致。 ④.Lead形状：引线腿间，引线腿与金线 间的距离。 ⑤.Lead镀层：镀层剥落等 ⑥.Al触须：易造成芯片内部短路。 ⑦.芯片外观。 键合参数 ①.温度：影响金球与键合点的密着性、2nd点的接着强度，即与A/E 不良有关。 ②