复旦大教材资料学集成电路工艺原理10.pptVIP

* 解出所需的掩膜层厚度： 穿过掩膜层的剂量： 余误差函数 * 离子注入退火后的杂质分布 Dt ? D0t0＋Dt 一个高斯分布在退火后仍然是高斯分布，其标准偏差和峰值浓度发生改变。 * 离子注入的沟道效应 沟道效应（Channeling effect） 当离子沿晶轴方向注入时，大部分离子将沿沟道运动，几乎不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远。 * 110 111 100 倾斜旋转硅片后的无序方向 * 浓度分布 由于沟道效应的存在，在晶体中注入将偏离LSS理论在非晶体中的高斯分布，浓度分布中出现一个相当长的“尾巴” 产生非晶化的剂量 沿100的沟道效应 * 表面非晶层对于沟道效应的作用 Boron implant into SiO2 Boron implant into Si * 减少沟道效应的措施 对大的离子，沿沟道轴向(110)偏离7－10o 用Si，Ge，F，Ar等离子注入使表面预非晶化，形成非晶层（Pre-amorphization） 增加注入剂量（晶格损失增加，非晶层形成，沟道离子减少） 表面用SiO2层掩膜 * 典型离子注入参数 离子：P，As，Sb，B，In，O 剂量：1011~1018 cm-2 能量：1– 400 keV 可重复性和均匀性: ±1% 温度：室温 流量：1012-1014 cm-2s-1 * 本节课主要内容 LSS理论？阻止能