模拟电子技术基础习题.PPT

交直流 电压并联负反馈 交直流 电流并联负反馈 8. 交直流 电流串联负反馈 交流 电压并联正反馈 9. 交直流 电压并联负反馈 交流 电流串联正反馈 10. 交直流 电压并联负反馈 交流 电压并联负反馈 11. 第六章 集成运算放大器基本应用电路 ∞ ∞ 0 线性 非线性 虚断 虚短 4.下图中图＿＿为＿＿＿输入方式比例运算电路 i1≈iF、uN≈0;图＿＿为＿＿＿输入方式比例运算 电路i1≈iF、uN≠0。 a 反相 b 同相 5. 单值电压比较器有＿＿＿＿个门限电压，迟滞电压比较器有＿＿＿＿个门限电压。 6. 电压传输特性如图所示，参考电压是________V，输出电压是________V；输入信号加在________输入端。 7. 迟滞电压比较器回差电压的大小与＿＿＿＿＿和 ＿＿＿＿＿有关。 2 1 ±10 －2 反相 UTH1 UTH2 B A A A B B A A C B 三、判断题： 1. 运算电路中一般均引入负反馈。（ √ ） 2. 在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。（ × ） 3. 凡是集成运算放大器构成的电路都可以利用“虚短”和 “虚断”的概念。（ × ） 4. 处于线性工作状态的实际集成运放，在实现信号运 算时，两个输入端对地的直流电阻需相等，才能防止 输入偏置电流带来的运算误差。 （ √ ） 5. 在反相求和电路中，集成运放的反相输入为虚地点， 流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之和。 （ √ ） 四、计算题 反相比例 双端输入方式 减法 电压跟随器 反相加法 15. 16. 单值电压比较 17. 单值电压比较 18. uPuN uNuP -UO(sat) +UO(sat) 10. 10. 10. 10. 11. 11. 第三章 场效应晶体管及其放大电路 一、填充题 1、M0S管的结构由 、 和 组成。 2、绝缘栅型场效应管按导电沟道的分有 和 两类，其每一类又可 和 两种。 3、场效应管与双极晶体管比较，______为电压控制器件，______为电流控制器件，______的输入电阻高。 4、场效应管有______种载流子参与导电，故场效应管又称______型元件。 金属 氧化物 半导体 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 1 单极 场效应管 双极型晶体管 场效应管 5、______MOS管开启电压 ＞0，______MOS管开启电压 ＜0。 6、______MOS管的夹断电压 ＞0，______MOS管的夹断电压 ＜0。 7、使用场效应管时应特别注意对______极的保护，尤其是绝缘栅管，在不用时应将三个电极___________ 。 N沟道 P沟道 P沟道 N沟道 栅 短接 8、某场效应管的转移特性如左图a ）所示，由此可知该管是_______沟道_______型的绝缘栅场效应管， ________V。 9、某场效应管的转移特性如右图b)所示，由此D可知该管是_______沟道_______型的绝缘栅场效应管， ______, ______。 P沟道 增强型 －2V N沟道 耗尽型 6mA －6V 10、某场效应管的输出特性如图所示，由此可知该管是_______沟道_______型的绝缘栅场效应管， ________。 11、某场效应管工作在恒流区，当 时，