红外吸教材资料收法测定硅单晶中氧跟碳的测试方法跟工艺.pptVIP

一、硅单晶中氧、碳的分布情况 1、氧 ：在硅单晶中，以间隙氧的形式存在 （1）硅中氧的含量： 直拉单晶硅：4×1017～3×1018原子/cm3 多晶硅：1016～1017原子/cm3 （2）最大溶解度： 熔硅： 2.2×1018原子/cm3 固体硅： 2.75×1018原子/cm3 （3）分布：硅单晶中的氧，由于分凝作用在晶体中呈条纹状分布，头部高，尾部低。 （4）间隙氧对硅单晶结构和性能产生的影响： 1）可以增加硅片的机械强度，避免弯曲和翘曲等变形。 2）形成热施主，会改变器件的电阻率和反向击穿电压，形成堆垛层错和漩涡缺陷。 3）形成氧沉淀，产生位错、堆垛层错等缺陷。 2、碳：在硅单晶中，一间隙氧的形式存在 （1）单晶硅中氧碳的含量：1016～1017原子/cm3 （2）最大溶解度： 熔硅： 3～4×1018原子/cm3 固体硅： 5.5×1017原子/cm3 （3）分布：硅单晶中的碳，由于分凝作用在晶体中呈条纹状分布，头部低，尾部高。 （4）碳对硅单晶的影响 1）碳以替位形式存在，使晶格发生畸变，是硅的生长条纹可能与碳的分布有关。 2）碳在硅单晶中成为杂质氧的成核点，促进氧的沉淀。 3）导致晶体中堆垛层错、漩涡缺陷等的产生。降低器件的反向电压，增大漏电电流，降低器件的性能。 二、红外光谱法测单晶硅中氧、碳的含量 1、硅中氧和碳的红外吸收光谱。如图所示