集成电教材资料路原理制造工艺跟原理技术--期末论文.pptVIP

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  • 2019-08-24 发布于湖北
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集成电教材资料路原理制造工艺跟原理技术--期末论文.ppt

1.半导体材料的主要特点 2.硅的晶体结构 3.硅单晶材料的加工制造过程 4.直拉法生长单晶过程 5. 集成电路的发展对硅片的要求 半导体材料 目前用于制造半导体器件的材料有: 元素半导体(Si Ge) 化合物半导体(GaAs ) 本征半导体: 不含任何杂质的纯净半导体,其纯度在99.999999%(8~10个9)。 掺杂半导体: 半导体材料对杂质的敏感性非常强,例如在Si中掺入千万分之一的磷( P )或者硼(B),就会使电阻率降低20万倍。 1839年,法国科学家贝克雷尔(Becqurel)就发现,光照能使半导体材料的不同部位之间产生电位差。这种现象后来被称为“光生伏打效应”,简称“光伏效应”。 1.2半导体材料硅的结构特征 物质分为晶体(单晶,多晶)和非晶体 单晶体:由原子或分子在空间按一定规律周期性地重复排列构成的固体物质。 (1)一种物质是否是晶体是由其内部结构决定的,而非由外观判断; (2)周期性是晶体结构最基本的特征 多晶体:小区域内原子周期性排列,整体不规则 非晶体:原子排列无序 晶体的特点 1)均匀性,原子周期性排列. 2)各向异性,也叫非均质性.(各个方向上物理和化学性质不同) 3)有明显确定的熔点 4)有特定的对称性 5)使X射线产生衍射 100,111平面是单晶晶圆中最常用的方向。 1

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