集成电教材资料路制造技术：(12)(13)(14)工艺集成跟封装测试.ppt

第10章 金属化与多层互连 微电子工艺(5) ----工艺集成与封装测试 第五单元 工艺集成与封装测试 第12章 工艺集成 第13章 工艺监控 第14章 封装与测试 第12章 工艺集成 12.1 金属化与多层互连 12.2 CMOS集成电路工艺 12.3 双极型集成电路工艺 12.1 金属化与多层互连 金属及金属性材料在芯片上的应用被称为金属化，形成的整个金属及金属性材料结构称金属化系统。 金属化材料可分为三类： 互连材料； 接触材料； MOSFET栅电极材料。 12.1 金属化与多层互连 互连材料指将同一芯片内的各个独立的元器件连接成为具有一定功能的电路模块；接触材料是指直接与半导体材料接触的材料，以及提供与外部相连的连接点；MOSFET栅电极材料是作为MOSFET器件的一个组成部分，对器件的性能起着重要作用。 12.1.1 欧姆接触 欧姆接触指金属与半导体的接触电阻值远小于半导体本身电阻。 金/半接触的电流密度： 肖特基势垒高度： 接触电阻： 低掺杂接触电阻： 高掺杂接触电阻： 12.1.2 布线技术 集成电路对互连布线有以下要求： ①布线材料有低的电阻率和良好的稳定性； ②布线应具有强的抗电迁移能力； ③布线材料可被精细刻蚀，并具有抗环境侵蚀的能力；