锰氧化教材资料物薄膜制备工艺跟表征手段.pptVIP

6.3 锰氧化物薄膜制备工艺及表征手段;简介;一、巨磁电阻效应定义; 正因为有了这两位科学家的发现，单位面积介质存储的信息量才得以大幅度提升。目前，根据该效应开发的小型大容量硬盘已得到了广泛的应用。 “巨磁电阻”效应（GMR，Giant Magneto Resistance)是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。也就是说，非常弱小的磁性变化就能导致巨大电阻变化的特殊效应，变化的幅度比通常磁性金属与合金材料的磁电阻数值高10余倍。 图所示为（Fe/Cr???n多层 膜的GMR效应特性曲线 ;二、锰氧化物的结构及其庞磁电阻效应;层状晶格图形如下;　2. CMR效应 CMR效应存在于钙钦矿结构的掺杂锰氧化物中。不同于GMR和TMR依赖于人工制备的纳米结构，钙钦矿锰氧化物的CMR效应是大块材料的体效应。由于其磁电阻值特别巨大，为了区别于金属多层膜中的GMR效应，人们将这种钙钦矿结构中的磁电阻效应冠之以超大磁电阻效应(eolossalMagnetoresistanee)，简称CMR效应。CMR的一个显著特征是在磁相变的同时伴随着金属到绝缘态的转变，并且磁电阻的陡然变化通常发生在居里点()附近，一旦温度偏离居里点，磁电阻迅速下降。这种极大的磁电阻效应实际上暗示了锰氧化物材料中自旋一电荷间存在着强烈的关联性。现在己经确认，锰氧化物具有电子的强关联特性，其CMR机理，与铜氧化物的高温超导电性是一样的，是多电子强关联系统中十分有趣和困难的问题。; 在锰氧化物这类电子强关联体系中同时存在电荷序、自旋序和轨道序，它们相互藕合也相互竞争。这一系列新颖物理现象同时出现在一个物理系统中，并且相互祸合，确非其他磁性材料和磁阻材料可比，磁性质、输运性质和结构密切相关是这类CMR锰氧化物的显著特征。 ;3.凝聚态物理中其余四大热点效应 1) 纳米颗粒膜巨磁电阻效应 纳米颗粒膜是纳米材料中的一种,它是指纳米尺寸的颗粒镶嵌于薄膜中所构成的复合材料体系,如Fe、Co、Ni、NiFe镶嵌于Ag、Cu薄膜中而构成,颗粒和基质元素在制备及应用条件下互不相溶,形成一种非均匀相,处于相分离状态。 2)隧道结巨磁电阻效应(TMR) 在两层金属薄膜之间夹一层10-40nm厚的绝缘薄膜就构成一个隧道结FMPIPFM在两层金属薄膜之间加上偏压就有电子隧穿通过绝缘层势垒形成隧穿电流。; 3) 金属多层膜巨磁电阻效应 金属多层膜是由磁性金属膜与非磁性金属膜交叠而成的周期性膜,金属多层膜的类型有人工超晶格、多层膜、三明治膜、自旋阀型膜等,现在制备多层膜用的物理方法主要有两种:(1)蒸镀法(直接加热蒸镀、电子枪加热蒸镀、分子束外延等)；(2)溅射法(高频溅射、离子束溅射、磁控溅射等。 4)氧化物薄膜巨磁电阻效应 氧化物薄膜巨磁电阻效应的着眼点是ABO3型钙钛矿结构的掺杂稀土锰氧化物,主要研究的内容是氧化物不同位置的掺杂特性,以研究不同物质的掺入对氧化物薄膜的巨磁电阻效应的影响;制造包含锰氧化物的多层膜以研究对锰氧化物的巨磁电阻的影响。;三、制备锰氧化物薄膜的方法;靶材;靶材的制备;（一）激光脉冲沉积法（PLD);PLD的机制;PLD法制备薄膜实验流程图;PLD技术的优点;（二）磁控溅射（DC和RF）;磁控溅射法的工作原理; 磁控溅射成膜速率高，基片温度低，膜的粘附性好， 可实现大面积镀膜，直流磁控溅射的特点是在阳极基 片和阴极靶之间加一个直流电压，阳离子在电场的作 用下轰击靶材，它的溅射速率一般都比较大。但是直 流溅射一般只能用于金属靶材，因为如果是绝缘体靶 材，则由于阳粒子在靶表面积累，造成所谓的“靶中 毒”，溅射率越来越低。所以对于绝缘靶材或导电性 很差的非金属靶材，须用射频溅射法（RF）。 不过目前国内企业很少拥有这项技术。 一般说来，PLD方法造价比较高，制备出来的薄膜面积小，而磁控溅射不光造价低廉，而且非常适合制备大面积的单相薄膜，但用来沉积复杂氧化物即包含多种阳离子组分的薄膜比较困难，因为反应溅射过程有可能引起陶瓷靶材和薄膜之间的组成变化;(三)金属有机化学气相沉积;MOCVD的原理;工作原理图如下：;; 在沉积锰氧化物薄膜时，为保证膜中氧含量的化学配比，可用氧气，二氧化氮，臭氧作为反应气体。沉积过程中，环境气体的压力非常重要。在氧气，二氧化氮气氛下，PLD沉积锰氧化物薄膜时，为获得最优化特性的薄膜，气相中的氧化和表面氧化过程都是非常重要的。而且，沉积条件如氧分压、沉积温度、激光功率对膜的性质都会产生很大的影响。使用磁控溅射方法镀膜时，溅射室的总气压一般为10Pa，而且具有较高的氧分压，基片一般选用具有钙钛结构的氧化物。从经济上考虑使用价格低