数学物理方法傅里叶变换法.PPTVIP

* 你们好 * 积分变换在数学物理方程中也有广泛的用途，变换后， 方程得以化简，偏微分方程变成常微分方程，求解常微 方程后，再进行逆变换就得到原来偏微分方程的解， 同时，积分变换还可能得到有限形式的解，分离变数 法或者傅里叶级数发往往不能。 本章主要介绍傅里叶变换法在求解偏微分方程中的应用。 * 傅里叶变换 （1）导数定理 （2）积分定理 （3）相似性定理 * （4）延迟性定理 （5）位移性定理 （6）卷积性定理 * 第一节 傅里叶变换法 用分离变数法求解有界空间的定解问题时，得到的本征值是 例1 求解无限长弦的自由振动 解： 应用傅里叶变换，即用 同乘方程和定解条件 中的各项，并对空间变量x积分，t看做参数，则 分，对于无界空间的定解问题，适用于傅里叶变换法求解。 连续的，所求的解可表示为对连续本征值求积分的傅里叶积 无界空间，分离变数法求解定解问题时，所得到的本征值是 离散的，所求的解可表为对本征值求和的傅里叶级数，对于 * 定解问题变换成： 其中 分别是 的傅里叶变换，这样原来 的定解问题变成了常微分方程及初值条件，通解为： 代入初始条件可得： 故 对U作逆傅里叶变换，可得最后的结果如下： * 达朗贝尔公式 例2 求解无限长细杆的热传导问题 解： 作傅里叶变换，定解问题变为： 此常微分方程的初始问题的解为 进行傅里叶逆变换可得： * 交换积分次序 积分公式： * 例3 求解无限长细杆的有源热传导问题 解： 作傅里叶变换，定解问题变为非齐次常微分方程： 令 利用上述公式可得 * 用 同乘方程各项，可得： 对t积分一次，并考虑零初始值可得： 进行傅里叶逆变换 交换积分次序可得： * 是单位面积硅片 表层原有杂质总量. 并利用积分公式可得最后的结果为： 例4 限定源扩散 在半导体扩散工艺中，杂质扩散深度远远小于硅片厚度，可 硅片，这里求解的是半无界空间x0中的定解问题: 有的杂质向硅片内扩散，但不让新的杂质穿过硅片表面进入 以把硅片看成无限厚，在限定源扩散中，是只让硅片表层已 * 解: 没有杂质穿过硅片表面,即: 第二类齐次边界条件 这种边界条件意味着偶延拓,即求解以下定解问题 则 引用例2结果可得 高斯函数 * 硅片表面 右图描述了杂质浓度u(x,t)在硅片中 即说明杂质总量不变,曲线跟纵轴相交处的切线都是水平的, 例5 恒定表面浓度扩散 在恒定表面浓度扩散中,包围硅片气体 中含有大量的杂质原子,源源不断穿过硅片表面向内部扩散,由 即硅片表面的浓度梯度为零,表明没有新的杂质进入硅片. 度趋于均匀,曲线下的面积为 2,3依次对应越来越晚的时刻,杂质浓 的分布情况,曲线1对应于较早的时刻 是半无界空间x0中的定解问题 于杂质分子充足,硅片表面杂质浓度保持某个常数N0,这里所求 * 解 首先把非齐次边界条件化为齐次边界条件,令 则化为关于w的定解问题: 这是第一类齐次边界条件,意味着奇延拓,即 引用例2结果可得 * 第一个积分中令 第二个积分中令 则有 被积函数是偶函数,故 误差函数 记做erfx,则w可写为: 所求的解如下: * 余误差函数 记做erfcx,则有 硅片表面 右图描述了杂质浓度u(x,t)在硅片中 例6 泊松公式 求解三维无界空间中的波动问题 明显,如果扩散持续进行下去,则浓度分布最终将为常数N0(虚线) 的时刻,杂质浓度趋于均匀的趋势很 刻,2对应于较晚的时刻,3对应于更晚 分布情况,曲线1对应于某个较早的时 * 解 做傅里叶变换,问题变换为常微分方程的初始值问题 这个方程的解为 再进行傅里叶逆变换 * 利用5.3例1的结果 * 应用延迟定理 出现 对 的积分只要在球面 上进行 以r为球心(矢径r),半径为at 为球面 的面积元,此即泊松公式. * 三维无界空间中的波动,只要知道初始状况,就可以用泊松公式 然后拿初始扰动 按泊松公式在球面 上积分 ,波动以速度a传播,只有跟点r 相距at的那些点的初始扰动恰好在时刻t传到r r d D T0 初始扰动只限于区域T0,如图,取一定点r,与T0 跟 T0不相交,按泊松公式u(r,t)=0,表示扰动的前锋 没有到达r,当d/atD/a, 跟T0 相交, 扰动到达r,当tD/a, 包围了T0,但跟T0不相交,u(r,t)=0,表明 球心,以at为半径作球面 求以后任一时刻的状况,具体说,为求时刻t在r的u(r,t),应以r为 扰动已经过去. 最小距离为d,最大距离为D,当td/a, *