半导体物理_第六章.PPTVIP

其中Ln2=Dnτn0，称为少数载流子电子的扩散长度，根据无穷远处过剩载流子浓度衰减为零的边界条件可以得到上述微分方程解中的常数A、B值为： 其中δn(0)是x=0处过剩载流子的浓度。由上式可见，当x=0处有稳态产生时，其两侧的过剩电子浓度随着空间位置的变化呈现指数衰减分布，按照电中性原理的要求，过剩空穴浓度随着空间位置的变化也呈现出同样的指数衰减分布，如下页图所示。 因此上述两式就是在掺杂和组分均匀的条件下，描述半导体材料中过剩载流子浓度随着时间和空间变化规律的方程。 §6.3 双极输运过程 如果在有外加电场存在的情况下，在半导体材料中的某一点处产生出了一个脉冲的过剩电子和一个脉冲的过剩空穴，此时这些过剩电子和过剩空穴就会在外加电场的作用下朝着相反的方向漂移. 但是,由于这些过剩电子和过剩空穴都是带电的载流子，因此其空间位置上的分离就会在这两类载流子之间诱生出内部电场，而这个内建电场又会反过来将这些过剩电子和过剩空穴往一起拉，即内建电场倾向于将脉冲的过剩电子和过剩空穴保持在同一空间位置。 由于过剩电子和过剩空穴相互分离所诱生的内部电场示意图： 考虑上述内建电场之后，上一节中导出的电子和空穴的连续性方程中的电场则应同时包含外加电场和内建电场，即： 其中Eapp为外加电场，而Eint则为内建电场。