半导体物理总复习例题.PPT

(2) 由于 n1 p1 = n2 p2 ，则 两块材料中空穴密度之比为 p1 ：p2 = 1 ：e 例7. 若某种半导体的迁移率不随载流子浓度而变化，证明其电导率为最小值时，半导体的电子浓度和空穴浓度分别为 解：对公式 作如下演算： 若 σ (n) 有极值，故 当 则σ(n) 为极小值，所以当 而 例8. 光照面 ( x ＝ 0 处) 积累正电荷，背面 ( x ＝ W 处 ) 积累负电荷，体内形成沿 x 方向的电场，阻止扩散引起的电荷进一步积累。若光照恒定，体内载流子分布已达到稳定状态， 试计算当外电路开路时，硅片正、背面之间产生的光扩散电势差。 解： 若光照恒定，体内载流子分布达到稳定状态后电子、空穴的电流密度分别为 总电流密度为 开路情况下少子的漂移电流与扩散电流相比可以略去。 根据准中性条件： △ n = △ p 求得 E 为 化为 两边积分 上式左边即硅片正面与背面之间产生的光扩散电势差 右边积分 据 则 例9. 均匀的 p 型硅样品左半部如图被光照射 x 0 如果电子 - 空穴对的产生率 G 是与位置无关的常数，请试求整个样品中电子密度的稳定分布 n(x)，并画出曲线。设样品的长度很长，且满足小注入条件。 解： 稳定情况下，少子的连续方程为 两个方程的通解分别为： 式中 A，B，C 和 D