电场的边值关系.ppt

§9-7 *电场的边值关系 1.电位移和电场在介质分界面上的变化 普遍情况下，电位移和电场强度矢量在介质分界面上的变化关系，就是通常所说的电场的边值关系。 + + + + + + + + + + 电场线 电位移线 + + + + + + + + + + 电位移和电场在介质分界面上的变化 电位移矢量的法向分量连续 考虑两个电容率分别为?1和?2的均匀电介质，在其分界面上取微小闭合圆柱面S,其轴线与分界面正交，上下两底面紧贴分界面两侧，底面积元S0。 由有介质时的高斯定理得 所以 即 分界面上没有自由电荷时，电位移的法向分量连续。 在均匀电介质中，电位移与电场强度的关系为 “分界面上没有自由电荷时，电位移的法向分量连续”也可以写成 电场强度的法向分量在分界面两侧有突变。 电位移和电场在介质分界面上的变化 电场强度矢量的切向分量连续 在分界面附近，作一极扁的矩形回路ABCD，由环路定理得 所以 即 电场强度的切向分量在分界面两侧连续。 电位移和电场在介质分界面上的变化 在均匀电介质中，电场强度与电位移的关系为 则 电位移矢量的切向分量在分界面两侧不连续。 电位移和电场在介质分界面上的变化 2.电场强度和电位移矢量在分界面上的偏折 上式为电场中电场线和电位移线的折射定律。 电场强度和电位移矢量分界面上的偏折 例题9-7　一高压电器设备中用一块均匀的陶瓷片（ εr=6.5 ）作为绝缘，其击穿场强为107V/m，已知高压电在陶瓷片外空气中激发均匀电场，其场强 E1与陶瓷面法线成θ1=300角，大小为E1=2.0× 104V/m 。求（1）陶瓷中的电位移 D2 和场强E2 的大小和方向，（2）陶瓷表面上极化电荷的面密度。 解 （1 ）如图中所示，设陶瓷内电位移 的方向与法线成θ2角 n ?1 ?2 D1=?1E1 D2=?2E2 陶瓷?2 空气?1 边值关系 由边界条件 可知 边值关系 电场小于击穿场强，所以陶瓷不会被击穿。 （2）极化电荷的面密度为 边值关系 电场小于击穿场强，所以陶瓷不会被击穿。 （2）极化电荷的面密度为 边值关系