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CMP工艺介绍及用滤芯 ChemicalMechanicalPolishing(CMP)化学机械抛光是一个化学腐蚀和机械摩擦的结合。 是目前最为普遍的半导体材料表面平整技术，兼收了机械摩擦和化学腐蚀的优点，从而避免 了由单纯机械抛光造成的表面损伤和由单纯化学抛光易造成的抛光速度慢、表面平整度和抛 光一致性差等缺点。可以获得比较完美的晶片表面。 国际上普遍认为，器件特征尺寸在 μ 以下时，必须进行全局平面化以保证光刻影像传 0.35 m 递的精确度和分辨率，而CMP是目前几乎唯一的可以提供全局平面化的技术。其设备作用 原理图如下： CMP耗材主要有以下几种： 研磨液：研磨时添加的液体状物质，颗粒大小跟研磨后的刮伤等缺陷有关，颗粒越小越好。 基本形式是由SiO 抛光剂和一个碱性组分水溶液组成，SiO 颗粒的大小 1-100nm，浓度 2 2 1.5%-50%，碱性组成一般是KOH，氨或有机胺，pH为9.5-11，颗粒越大对晶片的损伤越大。 研磨垫：研磨时垫在晶片下面的片状物。 研磨垫整理器：钻石盘状物，整理研磨