MFIS结构铁电薄膜场效应晶体管原型器件的制备与性能表征.pptVIP

MFIS结构铁电薄膜场效应晶体管原型器件的制备与性能表征 指导教师：唐明华 实验类型：综合性实验 * * n-sub p+ p+ p+ source/drain formation (LOCOS Process) STEP 1 n-sub p+ p+ Y2O3/CeO2 film deposition (UHV-EB evaporation) STEP 2 n-sub p+ p+ Ferroelectric film deposition (Sol-gel spin-coating) STEP 3 n-sub p+ p+ Pt TE(gate) formation (Ar/Cl2-RIE) STEP 4 Pt TE n-sub p+ p+ Via hole formation (Wet etching RIE) STEP 5 Via hole n-sub p+ p+ Al electrode formation (Lift-off) STEP 6 Al electrode Y2O3/CeO2 Ferroelectric film 铁电场效应晶体管的制备工艺流程 实验目的 * * 制备一个MFIS结构的无铅铁电薄膜场效应晶体管的原型器件，并对它的电学性能进行表征。 实验目的 * * 课题来源 2007.01~2009.12，无铅铁电薄膜及存储器的