Ⅳ-VI族与Cd基三元化合物的制备与其光电性能的分析.pdfVIP

摘要 关注与研发具有光电功能的半导体材料，是未来功能性材料的一个发展趋势。 IV －VI 族元素及其 Cd 基三元化合物是优良的光电功能材料，本文旨在这几种半导 体材料的光电性能方面研究，目的是寻找光电性能材料最优的解决方案。本文采用 电沉积法制备纳米硒、水热法制备 CdS Se 、电化学共沉积法制备 CdSe Te 薄膜、 x y x y 化学浴沉积法沉积制备 Cd Pb S 。主要的研究结果如下： x 1-x 1. 以氧化铟锡(Indium-Tin Oxide ，ITO) 导电玻璃（ITO ）为基底，采用电沉积法 制备纳米硒。在单一变量的基础上结合正交试验和响应面实验，探讨了沉积电压、沉 积温度、沉积时间和硫脲用量等条件对纳米硒光电压的影响。在沉积电压1.7 V，沉积 温度30