模拟电子技术第1章 常用半导体器件1.pptVIP

1.4.1 结型场效应管 1.4　场效应管 　　结型场效应管是利用半导体内的电场效应工作的。在一块N型半导体的两侧分别扩散出两个P型区，形成两个PN结。将两个P型区连接后，形成一个电极g称为栅极，从N型半导体的上下两端各引出一个电极，s称为源极，d称为漏极。两个PN结中间的N型区域称为导电沟道，它是漏、源极之间电子流通的途径，这种结构的管子被称为N沟道结型场效应管。和普通三极管相比，漏极相当于集电极，源极相当于发射极，栅极相当于基极。如果用P型半导体材料作衬底，则可构成P沟道结型场效应管。它们的结构和电路符号如图1-18所示。 一、结型场效应管的结构和符号 （1）转移特性曲线 　　转移特性曲线指漏源电压UDS一定时，栅源电压UGS对漏电极电流ID的控制关系曲线。 （2）输出特性曲线 　　输出特性曲线指栅源电压UGS 一定时，漏电极电流ID与漏源电压UDS之间的关系。 二、 结型场效应管的特性曲线 大连理工大学出版社　　 　　　地址：大连市软件园路80号　　 发行：0411 　E-mail : dutpgz@163.com 大连理工大学出版社　　 地址：大连市软件园路80号　　 发行：0411 　E-mail : dutpgz@163.com 大连理工大学出版社　　 　　　地址：大连市软件园路80号　　 发行：0411 　E-mail : dutpgz@163.com * 第1章 常用半导体器件 1.1　半导体二极管 1.2　特殊二极管 1.4　场效应管 1.5　实训 1.3　半导体三极管 本章要求： 　　掌握二极管的伏安特性和三极管的放大作用，熟悉二极管和三极管的主要参数。 第1章　常用半导体器件 　　半导体二极管是由一个PN结组成，在P型区和N型区两侧各接上电极引线，再用管壳封装。 　　在电路中，常用普通二极管用下图所示符号表示 1.1.1 半导体二极管的基本结构与类型 1.1　半导体二极管 　　半导体二极管的种类很多，按半导体材料的不同，可分为硅二极管和锗二极管等；按用途的不同，可分为整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管、变容二极管等；按内部结构的不同，可分为点接触型和面接触型两类。 1.1.2 半导体二极管的伏安特性 　　普通二极管的重要特点就是单向导电性。 　　当对其外加正向电压（正向偏置）时（二极管的正极接外电源的正极，二极管的负极接外电源的负极），二极管就会导通，此时有电流通过二极管；反之，加反向电压（反向偏置）时则其不导通或处于截止状态，此时几乎没有电流通过二极管。如图1-2所示。 1.测量二极管正向电压的仿真电路 一、二极管单向导电性的仿真 2.测量二极管反向电压的仿真电路 　　二极管的伏安特性是指通过二极管的电流与其两端电压之间的关系。 二、二极管特性曲线 2．反向特性 　　反向特性指二极管两端外加反向电压，当外加反向电压增加到一定值时反向电流突然增大，这种现象称为二极管的反向击穿，普通二极管不允许在击穿状态下工作。 3．温度对特性的影响 　　正向特性曲线随温度升高向左移，正向电压减小；反向特性曲线下移，反向电流增大。 1．正向特性 　　正向特性指二极管两端外加正向电压，硅管的正向导通压降约为0.6～0.7V，锗管约为0.2～0.3V。 1.1.3 半导体二极管的主要参数 一、最大整流电流IF 二、最高反向工作电压URM 三、反向饱和电流IR 四、最高工作频率f M 　　除了前面已讨论的普通二极管外，还有一些特殊用途的二极管，如稳压二极管、发光二极管、光电二极管等。 1.2　特殊二极管 1.2.1 稳压二极管 　　稳压二极管简称稳压管，其结构与普通二极管相同，也是利用一个PN结制成。在制造工艺上采取了适当的措施，使稳压管工作于反向击穿状态下。为使PN结的结温不超过允许值，稳压管在工作时，要采取一定的限流措施，避免出现热击穿而损坏二极管。稳压二极管的符号如图1-6 (a)所示。 　　稳压二极管的伏安特性曲线如图1-6 (b)所示。稳压二极管的正向特性与普通二极管相同，其主要区别是稳压二极管的反向特性曲线比普通二极管更陡。稳压二极管的反向击穿电压为稳定工作电压，用UZ表示。 一、稳压二极管的伏安特性 1.稳定工作电压 UZ 2.稳定工作电流 IZ 3.最大稳定电流 IZmas 4.最大耗散功率 f Zm 5.动态电阻 rZ 二、稳压二极管的主要参数 1.2.2发光二极管与光电二极管 　　发光二极管与普通二极管相同，也是利用一个PN结制成的。它也具有单向导电性，但在正向导通时能发光，它是直接把电能转换为光能的器件。由于构成发光二极管的材料、封装形式、外形等不同，所以它的类型很多，有单色发光二极管、