SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验 报告.docVIP

SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验 报告.doc

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SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验 报告

**********报告 课程名称:电力电子技术实验项目名称:SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT特性实验 姓名:******* 专业:******* 班级:1班 学号:*********** 实验预习部分: 实验的目的 1、掌握各种电力电子器件的工作特性。 2、掌握各器件对触发信号的要求。 3、实验所需挂件及附件 序号 型 号 备 注 DJK01 电源控制屏 该控制屏包含“三相电源输出”等几个模块。 DJK06 给定及实验器件 该挂件包含“二极管”以及“开关”。 DJK07 新器件特性实验 DJK09 单相调压与可调负载 万用表 自备 实验线路及原理 将电力电子器件(包括SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种)和负载电阻R 串联后接至直流电源的两端,由DJK06上的给定为新器件提供触发电压信号,给定电压从零开始调节,直至器件触发导通,从而可测得在上述过程中器件的V/A 特性;图中的电阻R 用DJK09 上的可调电阻负载,将两个90Ω的电阻接成串联形式,最大可通过电流为1.3A;直流电压和电流表可从DJK01 电源控制屏上获得,五种电力电子器件均在DJK07 挂箱上;直流电源从电源控制屏的输出接DJK09上的单相调压器,然后调压器输出接DJK09 上整流及滤波电路,从而得到一个输出可以由调压器调节的直流电压源。 实验线路的具体接线如下图所示: 实验内容 1、晶闸管(SCR)特性实验。 2、可关断晶闸管(GTO)特性实验。 3、功率场效应管(MOSFET)特性实验。 4、大功率晶体管(GTR)特性实验。 5、绝缘双极性晶体管(IGBT)特性实验。 思考题 各种器件对触发脉冲要求的异同点? 实验访法 1、按图3-26 接线,首先将晶闸管(SCR)接入主电路,在实验开始时,将DJK06 上的给定 电位器RP1 沿逆时针旋到底,S1 拨到“正给定”侧,S2 拨到“给定”侧,单相调压器逆时针调到底,DJK09上的可调电阻调到阻值为最大的位置;打开DJK06 的电源开关,按下控制屏上的“启动”按钮,然后缓慢调节调压器,同时监视电压表的读数,当直流电压升到40V 时,停止调节单相调压器(在以后的其他实验中,均不用调节);调节给定电位器RP1,逐步增加给定电压,监视电压表、电流表的读数,当电压表指示接近零(表示管子完全导通),停止调节,记录给定电压Ug调节过程中回路电流Id以及器件的管压降Uv。 2、按下控制屏的“停止”按钮,将晶闸管换成可关断晶闸管(GTO),重复上述步骤,并记 录数据。 3、按下控制屏的“停止”按钮,换成功率场效应管(MOSFET),重复上述步骤,并记录数据。 4、按下控制屏的“停止”按钮,换成大功率晶体管(GTR),重复上述步骤,并记录数据。 5、按下控制屏的“停止”按钮,换成绝缘双极性晶体管(IGBT),重复上述步骤,并记录数 实验过程记录部分: 实验记录 1、SCR输出特性数据记录 Ug 0 0.206 0.700 1.00 2.20 Id 0 0.025 0.6 0.6 0.6 Uv 40 40 0 0 0 GTO输出特性数据记录 Ug 0 3.709 4.148 5.35 5.48 Id 0 0.225 0.6 0.6 0.6 Uv 40 35 0 0 0 MOSFET输出特性数据记录 Ug 0 1.200 4.771 4.880 5.119 Id 0 0.052 0.210 0.3850 0.6 Uv 40 38 32.5 15 0 GTR输出特性数据记录 Ug 0 0.645 0.701 0.713 0.723 Id 0 0.125 0.6 0.6 0.6 Uv 40 25 0 0 0 IGBT输出特性数据记录 Ug 0 4.496 4.596 4.890 6.00 Id 0 0.110 0.301 0.6 0.6 Uv 40 32.5 20 0 0 各器件的输出特性图 实验操作成绩(百分制)__________ 实验指导教师签字:__________ 实验结果与讨论: 为保证功率器件在实验过程中避免功率击穿,应保证管子的功率损耗(即功率器件的管压 降与器件流过的电流乘积)小于8W。为使GTR 特性实验更典型,其电流控制在0.4A 以下。 通过本实验对SCR、GTO、

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