武汉大学模电课件第-一-章.pptVIP

第 一 章 1.1 半导体的导电特性 1、本征半导体的结构与模型 本征半导体： 2、本征半导体的导电原理 （2）本征半导体的导电原理 3、本征半导体中载流子浓度 1.1.2 杂质半导体 N型半导体 杂质对半导体导电性的影响 1.1.3 半导体中的电流 2、扩散电流 1.2 PN结 1.2.2 PN结的导电特性 2、反向特性 结论 3、PN结的伏安特性 PN结的温度特性 1.2.3 PN结的击穿特性? 雪崩击穿： 齐纳击穿： 1.2.4 PN结的电容特性 1.2.5 二极管的结构和主要参数 2、二极管的V－I特性 2、二极管的主要参数 1.3 二极管的等效模型及分析方法 3、二极管恒压降模型 4、折线模型 5、小信号模型 1.3.2 二极管电路的分析方法 交流信号的图解 2、工程近似法 2）限幅电路 3）低电压稳压电路 3、小信号等效分析法 1.3.3 特殊二极管 稳压管的主要参数 简单稳压电路 1.4 半导体三极管 2、基本结构和符号 PNP型三极管 结构特点 3、三极管（放大电路）的三种组态 晶体管具有电流放大作用的外部条件： 三极管的工作状态 1.4.2 三极管放大区的工作原理 三极管的电流分配关系 2、直流电流传输方程 2）共发射极电路直流电流传输方程 3）共集电极电路直流电流传输方程 1.4.3 三极管的伏安特性曲线 输出特性曲线 2、共发射极电路特性曲线 输出特性曲线 1.4.4 三极管的主要参数 极限参数 温度对三极管参数及特性的影响 1.4.6 三极管的小信号模型 小信号的范围 1、共发射极三极管混合π型模型的引入 2、混合π型参数与工作点电流的关系 1）三极管的跨导gm 2）发射结的结层电阻 3）集射电阻 4）集电结的结层电阻 5）基区体电阻 3、三极管的网络参数模型 H参数的含义 2）共发组态的H参数模型 3、两种参数模型的比较 1.5 场效应管 场效应管的分类 1.5.1 MOS场效应管 1、增强型MOS管 1）N沟道的形成及导电过程 漏源电流对沟道的影响 2）输出特性曲线 非饱和区 饱和区 截止区 击穿区 2、耗尽型MOS场效应管 1.5.2 结型场效应管（JFET） P沟道JFET 2、 JFET的工作原理（以N沟道为例） 2）VGS0，加电压vDS ： 2、JFET的特性曲线 1.5.4 FET的等效模型 小信号等效电路 1.5.5 FET的主要参数 FET与BJT的比较 耗尽型管的电路符号 P沟道 N沟道 饱和漏电流 Vp为夹断电压 1、 JFET的构造 N P P g(栅极) s源极 d漏极 导电沟道 N沟道JFET 基底 ：N型半导体 两边是P区 d g s d g s s源极 P N N g(栅极) d漏极 d g s d g s 1）VGS=0，加电压vDS ： N g s d VDS VGS=0 P P 越靠近漏端，PN结反压越大 ID VGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 N g s d VDS N N ID P P VGS 但当VGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 VGSVp VGD=VP时 VDS增大则被夹断区向下延伸。 N g d d VDS P P ID VGS 漏端的沟道被夹断，称为预夹断。 ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随VDS的增加而增加，呈恒流特性。 温度T ? 少子浓度? IC ? ICBO ? , ICEO ? IC = ?IB +(1+?)ICBO IB ? VBE ? 载流子运动加剧，发射相同数量载流子所需电压? 输入特性曲线左移 ? ? 载流子运动加剧，多子穿过基区的速度加快，复合减少 IC ? ?IB 输出特性曲线上移 输出特性曲线族间隔加宽 温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％ 温度上升10℃，ICEO将增加一倍 温度上升1℃，VBE将下降2～2.5mV vBE vCE — + - + iC iB VBEQ VCC + — vi RC vi＝0时对应的偏置电流电压值为静态偏置值。 加入vi，电路中的瞬时值为静态值与交流瞬时值的叠加。如 vi较小时，其对应变化范围内的输入输出特性可视为直线，此时的非线性器件三极管可等效为线性器件来进行分析。 VBEQ对应的静态电流为 时，上式可展开成幂级数 忽略二次方及以上项可得: 三极管的跨导： 此时，输出电流瞬时值与输入电压瞬时值成线性关系。 小信号的条件： 三极管放大工作时，在静态点上叠加交流小信号，三极管对交流信号具有线性传输特性，三极管可用线性有源网络来进行等效。此网络具有和三极管相同的端电压、电流关系，为三极管的小信号模型。 小信号模型