电子技术基础(模拟部分)试卷一答案.doc

试卷一答案 一、单项选择题（每空2分，共20分） 1、（C） 2、（B） 3、（D） 4、（D） 5、（A） 6、（D） 7、（D）8、（A） 9、（C） 10、（C） 二、填空题（每空1分，共30分） 互阻放大、互导放大 掺杂、光照 Au≤1（或放大倍数小于等于1，输出电压与输入电压同相位）、ri高、ro低 BJT的极间电容不可忽略 可变电阻区、恒流区（饱和区）（线性放大区）、击穿区 偏置电流（输入电流）、有源负载 差分式放大电路、抑制共模信号 uid=100uv、uic=0uv 稳定输出电压（或减小输出电阻）、稳定输出电流（增大输出电阻） 10、选频滤波、提高带负载能力 11．振幅平衡条件、相位平衡条件（注：可用公式表达） 12、放大器、选频网络、正反馈环节、稳幅电路 13、基准环节、比较环节、调整环节 三、分析题（共20分） 1答：线性失真：是由于线性电抗元件所造成的。 （2分） 非线性失真：是由于元器件特性的非线性造成的。 （2分） 交越失真：是由于互补对称电路中两对称管的iB必须在| UBE |大于某一数值时，才能越过死区，uo才正常反映ui的变化，如无法越过死区，则产生交越失真。 （2分） 2、作出四种MOSFET的符号：（每种1分，共4分） D D G G B S S N沟道增强型MOS P沟道增强型MOS G N沟道耗尽型MOS P沟道耗尽型MOS DD D D G G BB B B SSS SS S 3、答:（1）T3组成前置放大级,Re3为电流反馈，配合D1、D2在其上产生一定的压降，给T1、T2提供一个合适的偏置，使T1、T2在静态时处于微导通状态，输入电信号后，避免交越失真。 （5分） （2）T1和T2对接组成互补输出级，可消除T1和T2的非线性失真.同时T1和T2轮流导通工作，可提高电路的工作效率。 （3分） （3）T1导通时，+Ucc提供直流电源能量；T2导通时,-Ucc提供直流电源能量。 （2分） 四、计算题（共30分） 1解：先进行静态分析，求UBQ→UEQ→IEQ（ICQ）→IBQ→UCEQ （1）∵UBQ≈（RB2/RB2+RB1）UCC= (2.5/10+2.5)×15=3V (2)∴UEQ=UBQ- UBE=3-0.7=2.3V ∴IEQ=UEQ/RE=2.3/750Ω≈3mA≈ICQ 【ICQ≈IEQ=UEO/RE=(UBQ－UBE)/RE=UBQ/RE=3V/750Ω=4mA】 (3)∴IBQ= ICQ／β＝3／150＝0.02MA= 20uA 【IBQ=ICQ/β=4mA/150=27μA】 (4)∴UCEQ＝Ucc-IcRc-IERE==Ucc-(Rc+RE)IEQ=15v-(2kΩ+750Ω)×3mA =15v-2.75 kΩ×3mA=6.75V (1分) 【=4V】 动态分析：【用第二套值计算】 （1）求Au、ri、ro