半导体测试-薄层厚度测量.pptVIP

* * 第四章 薄层厚度测量 多数半导体器件和集成电路的主体结构，由各种形状和尺寸的薄层构成。这些薄层主要有: 二氧化硅SiO2 氮化硅SiNx 掺杂扩散层/离子注入层 Si外延层 金属膜(Al、Cu等）/多晶硅膜 这些薄层很薄，一般在μm 范围内。 一、引言 二氧化硅SiO2 、氮化硅SiNx的用途 具有绝缘、抗腐蚀性强、易于制备等特点，常在半导体器件制造中用作掺杂阻挡层、表面绝缘层、表面钝化层、绝缘介质等，是硅器件制造中最为广泛应用的一种膜层。 一些晶体管的平面制作工艺。 双极晶体管 MOS晶体管 二、薄膜厚度测量的主要方法 （一）比色法 图4.1 白光 薄膜上下表面的两束反射光产生干涉 图4.2 颜色与厚度的对应关系 当镀膜变得越来越厚时，晶圆的颜色就会按照一个特定顺序变化，并且不断重复。我们把每一个颜色的重复称为一个顺序(0rder)。 红 紫 橙 黄 绿 蓝 靛 760nm 380nm （二）干涉条纹法 图4.3 白光入射下的干涉条纹 1、在白光下观察 彩色条纹 测量方法： 根据彩色条纹的颜色变化规律，查表求得薄膜厚度 2、单色光测量 黑白相间条纹 干涉显微镜 第1个明条纹对应的厚度：t1=λ0/2n (n是薄膜折